[发明专利]制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法及配线基板

权利要求书

1.一种制造配线基板的方法，包括以下步骤：

第一步骤，在支撑基板上形成第一电极片；

第二步骤，在所述支撑基板的表面上层叠第一绝缘层，所述第一绝缘层包围所述第一电极片的外周；

第三步骤，在所述第一电极片的表面和所述第一绝缘层的表面上形成第二电极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽；

第四步骤，在所述第二电极片和所述第一绝缘层的表面上层叠第二绝缘层；

第五步骤，在所述第二绝缘层的表面上形成配线层，所述配线层与所述第二电极片电连接；以及

第六步骤，去除所述支撑基板以露出所述第一电极片。

2.根据权利要求1所述的制造配线基板的方法，其中，

所述第二步骤包括这样的步骤：在层叠所述第一绝缘层之前粗糙化所述第一电极片的表面。

3.根据权利要求1所述的制造配线基板的方法，其中，

所述支撑基板由金属形成，

所述第一步骤包括这样的步骤：在所述支撑基板和所述第一电极片之间形成与所述支撑基板类型相同的金属层，并且

所述第六步骤包括这样的步骤：去除所述支撑基板，去除所述金属层以及利用所述第一电极片的端面形成凹部。

4.一种使用根据权利要求1所述的制造配线基板的方法制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

通过焊料凸点将半导体芯片安装在所述第一电极片上。

5.一种配线基板，包括：

第一电极片；

第一绝缘层，其包围所述第一电极片的外周；

第二绝缘层，其层叠在所述第一电极片和所述第一绝缘层的表面上，

其中，在所述第一电极片和所述第二绝缘层之间设置有第二电极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽。

6.根据权利要求1所述的制造配线基板的方法，其中，

所述第一电极片具有约70μm到100μm的直径和约5μm到25μm的厚度，并且

所述第二电极片具有比第一电极片的直径大大约20％到90％的直径并具有约2μm到15μm的厚度。

7.根据权利要求5所述的配线基板，其中，

所述第一电极片具有约70μm到100μm的直径和约5μm到25μm的厚度，并且

所述第二电极片具有比第一电极片的直径大大约20％到90％的直径并具有约2μm到15μm的厚度。

8.根据权利要求1所述的制造配线基板的方法，其中，

所述第一电极片具有这样的结构，即：只层叠金层和镍层，并且所述金层和所述镍层层叠为使所述金层从所述配线基板的表面露出。

9.根据权利要求1所述的制造配线基板的方法，其中，

所述第一电极片具有这样的结构，即：以使金层从所述配线基板的表面露出的方式按照金层、钯层、镍层和铜层的顺序或者金层、钯层和镍层的顺序进行层叠。

10.根据权利要求5所述的配线基板，其中，

所述第一电极片具有这样的结构，即：只层叠金层和镍层，并且所述金层和所述镍层层叠为使所述金层从所述配线基板的表面露出。

11.根据权利要求5所述的配线基板，其中，

所述第一电极片具有这样的结构，即：以使金层从所述配线基板的表面露出的方式按照金层、钯层、镍层和铜层的顺序或者金层、钯层和镍层的顺序进行层叠。

12.根据权利要求2所述的制造配线基板的方法，其中，

通过粗糙化处理而获得的表面粗糙度具有等于约0.25μm到0.75μm的Ra。