[发明专利]制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法及配线基板

说明书

技术领域

本发明涉及制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法以及配线基板，更具体地涉及制造构造为提高多层基板的电极片形成部分的可靠性的配线基板的方法，制造半导体器件的方法以及配线基板。

背景技术

例如，作为形成用于连接裸芯片和基板或者连接封装基板和母板的BGA(球栅阵列)的球状物的方法，已知这样一种制造方法：在基板上形成多个电极，然后形成具有与电极连通的孔的阻焊层并通过热处理(回流)熔化焊球，以在将焊球加装在孔的开口上的状态下将熔化的焊球结合在孔中的电极上，并且在阻焊层的表面上形成焊料凸点作为凸出部。

另一方面，用于在缩减尺寸和增加裸芯片中的集成度的情况下将裸芯片安装在多层基板上的封装件的研究已经取得进展(例如参见日本专利No.3635219(JP-A-2000-323613公开文献))。

图1示出了常规配线基板的结构的实例。对于图1所示基板的结构来说，以这样的方式层叠各个层，即：用第一绝缘层12覆盖电极片10的外周，并用第二绝缘层13覆盖电极片10的上表面。从电极片10的上表面的中心向上延伸的导通部14穿透第二绝缘层13并与上部的配线部16连接。电极片10具有金层17和镍层18层叠在一起的结构，并以这样的方式来设置，即：金层17的表面从第一绝缘层12露出并且导通部14与镍层18连接。

此外，在一些情况下，通过焊料凸点将半导体芯片安装在电极片10上，在另一些情况下，结合有焊球或管脚。这样，在具有多层结构的配线基板中，电极片10用作裸芯片加装片或外部连接片。

然而，在图1所示配线基板中，电极片10的外周比较光滑。因此，对第一绝缘层12的附着力较小。当通过回流处理进行加热时，由于第一绝缘层12和电极片10之间的热膨胀差异而引起的热应力，在设置为与电极片10的外周接触的边界部分中产生分层，从而第一绝缘层12的一部分会断开。

此外，在第一绝缘层12的设置为与电极片10的角部(B部分)外周接触的部分由于通过回流处理进行的加热而断开的情况下，存在这样的问题，即：从电极片10的角部(A部分)朝向第二绝缘层13产生裂纹20。

此外，在裂纹20扩大的情况下，存在这样的可能性，即：设置在第二绝缘层13上的配线部16会被截断。

发明内容

因此，考虑到上述情况，本发明的目的在于提供可以解决上述问题的制造配线基板的方法、制造半导体器件的方法及配线基板。

为了解决上述问题，本发明具有下列手段。

根据本发明的第一方面，提供一种制造配线基板的方法，该方法包括以下步骤：

第一步骤，在支撑基板上形成第一电极片；

第二步骤，在所述支撑基板的表面上层叠第一绝缘层，所述第一绝缘层包围所述第一电极片的外周；

第三步骤，在所述第一电极片的表面和所述第一绝缘层的表面上形成第二电极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽；

第四步骤，在所述第二电极片和所述第一绝缘层的表面上层叠第二绝缘层；

第五步骤，在所述第二绝缘层的表面上形成配线层，所述配线层与所述第二电极片电连接；以及

第六步骤，去除所述支撑基板以露出所述第一电极片。这样可以解决上述问题。

根据本发明的第二方面，提供根据第一方面的方法，其中，

所述第二步骤包括这样的步骤：在层叠所述第一绝缘层之前粗糙化所述第一电极片的表面。这样可以解决上述问题。

根据本发明的第三方面，提供一种根据第一或第二方面的方法，其中，

所述支撑基板由金属形成，

所述第一步骤包括这样的步骤：在所述支撑基板和所述第一电极片之间形成与所述支撑基板类型相同的金属层，并且

所述第六步骤包括这样的步骤：去除所述支撑基板，去除所述金属层以及利用所述第一电极片的端面形成凹部。这样可以解决上述问题。

根据本发明的第四方面，提供一种使用根据本发明的第一至第三方面中的任一方面的制造配线基板的方法制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

通过焊料凸点将半导体芯片安装在所述第一电极片上。这样可以解决上述问题。

根据本发明的第五方面，提供一种配线基板，该配线基板包括：

第一电极片；

第一绝缘层，其包围所述第一电极片的外周；

第二绝缘层，其层叠在所述第一电极片和所述第一绝缘层的表面上，

其中，在所述第一电极片和所述第二绝缘层之间设置有第二电极片，所述第二电极片在平面方向上比所述第一电极片的外周更宽。这样可以解决上述问题。