[发明专利]铭版结构及其制造方法无效
申请号: | 200810089655.5 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101556754A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 陈志盟;邱德诚;邱健台 | 申请(专利权)人: | 嵩格光电股份有限公司 |
主分类号: | G09F7/00 | 分类号: | G09F7/00;B32B33/00;B44F1/00;G03F7/20;B29C45/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 洪;霍育栋 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种铭版结构及其制造方法,且特别是有关于一种质轻、成本低廉且具金属质感的铭版结构及其制造方法。
背景技术
目前的铭版可分为塑胶铭版与金属铭版两种,其中在金属铭版的制程中,多是在金属材料上以机械加工或蚀刻的方式制作出极具立体感的图文,加上金属材料本身具有表面光亮的特性,故金属铭版具有较为美观的优点。然而,金属铭版通常成本高且制程费时,又不易印刷,且一般的金属铭版厚重且挠性差,以致于具有不便贴附于轻薄物品或是弧形物品的缺点。此外,塑胶铭版虽然具有轻且薄,并方便贴附于各种物品上的优点,但其却仅能显现出平面式的图文,又不具金属质感,外观上较金属铭版单调无变化。
因此,需使用何种材料及制程来制作铭版才能使其同时兼具金属铭版与塑胶铭版的优点,实为相关产业亟欲探讨与研发的方向之一。
发明内容
有鉴于现有技术所制成的金属铭版与塑胶铭版分别存在有高成本、制程耗时、厚重、挠性差、不易印刷及不具立体感及金属质感的问题,本发明遂揭露一种铭版结构及其制造方法,以提供兼具成本低廉、容易印刷、具可挠性易贴附、轻且薄,以及有金属质感与立体感之优点的铭版。
本发明提供一种铭版的制造方法,其实行步骤包括:提供具有第一表面与第二表面的透光基板,其中透光基板的第一表面具有至少一组图案;在该透光基板的该第一表面上形成至少一色层;于该色层上形成至少一共形反射层;以及于该共形反射层上形成至少一第一保护层。
本发明提供一种铭版结构,包括透光基板、至少一色层、至少一共形反射层以及至少一第一保护层。其中,透光基板具有第一表面及第二表面,且第一表面具有至少一组图案;色层是配置于透光基板的第一表面上,共形反射层是配置于色层上,第一保护层则是配置于共形反射层上。
本发明所揭露的铭版结构及其制造方法如上,与现有技术之间的差异在于本发明是先在光阻层上形成纳米等级的图案,接着将此图案转印至铭版制程中所需的射出成型的母模上,并利用此母模进行射出成型,以将纳米等级的图案复制于塑胶基板上,使塑胶基板具有纳米等级的图案。后续再于塑胶基板上形成共形反射层,以显现出因光线在这些图案间产生衍射而造成的炫彩效果。通过上述手段,本发明可以制程时间短、容易印刷、具可挠性易贴附、轻且薄及成本低廉的塑胶材质,制作出具有金属质感及立体感图案的铭版。
附图说明
图1A至图1C为本发明铭版在第一实施例中的制造流程剖面示意图。
图2A至图2E为本发明的透光基板在一实施例中的制造流程剖面示意图。
图3为本发明铭版在第二实施例中的剖面示意图。
图4为本发明铭版在第三实施例中的剖面示意图。
图5为本发明铭版母基板在第四实施例中的剖面示意图。
图6为本发明铭版母基板在第二实施例中的剖面示意图。
图7为本发明铭版母基板在第三实施例中的剖面示意图。
具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
图1A至图1C绘示为本发明铭版在第一实施例中的制造流程剖面示意图。请参照图1A,首先提供透光基板110,其中透光基板110的第一表面112是具有图案113,而图案113可以包括文字(如厂商名或产品名等)、数字、符号及图像(如商标等)至少其中之一。构成透光基板110的材质例如是透光性佳的聚合物材料,如聚苯乙烯(polystyrene,PS)、环烯烃共聚物(metallocene based Cyclic Olefin Copolymer,mCOC)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)等。而且,透光基板110例如是通过射出成型制程所形成。以下将举实施例详述形成透光基板110的流程。
图2A至图2E绘示为本发明的透光基板在一实施例中的制造流程剖面示意图。请参照图2A,首先在底板101上形成具有第一图案102a的图案化光阻层102,其中底板101例如是一玻璃板,而形成图案化光阻层102的方法例如是先在底板101上形成一层光阻层(未绘示),然后再对此光阻层进行曝光及显影制程,即可形成图案化光阻层102。其中,此光阻层的曝光制程中所使用的光源例如是波长介于0.7微米至0.75微米之间的激光,以便于在光阻层上蚀刻出纳米等级的第一图案102a。具体来说,本实施例在曝光制程中所使用的光源是波长为0.74微米的激光,而图案化光阻层102的第一图案102a的高度h例如是介于60微米至110微米之间。
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