[发明专利]基板制造方法、基板制造系统及显示器制造方法有效
申请号: | 200810089668.2 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101286468A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 舆石亮;川部英雄;向井畅彦;筒井亚希子 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/84;G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 系统 显示器 | ||
1.一种由多个配线图案在基体上形成的基板的基板制造方法,包括:
第一检查步骤,通过分别对所述多个配线图案执行电气检查来识别具有电气短路或断路的不良配线图案;
第二检查步骤,通过光学检查来检验所述基体上的缺陷的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个;
匹配步骤,将所述第一检查步骤的结果与所述第二检查步骤的结果进行匹配,并识别具有电气短路或断路的严重缺陷;以及
第三检查步骤,通过光学检查来检验所述严重缺陷在像素中的相对位置和有效范围。
2.根据权利要求1所述的基板制造方法,其中,在执行所述第三检查步骤之后,包括用于修复所述严重缺陷的修复步骤。
3.根据权利要求2所述的基板制造方法,其中,在执行所述第三检查步骤之后,在执行所述修复步骤之前,包括用于至少基于所述第三检查步骤的结果选择修复过程的修复过程选择步骤。
4.根据权利要求3所述的基板制造方法,其中,在所述修复过程选择步骤中,基于所述第三检查步骤的结果以及包括所述严重缺陷的像素的下层配线信息来选择修复过程。
5.根据权利要求3所述的基板制造方法,其中,在所述修复过程选择步骤中,在数据库中预先存储利用激光照射的断开过程和利用激光CVD法或金属颗粒涂覆法的连接过程,并且从所述数据库中选择性地读取所述断开过程和所述连接过程中的至少一个。
6.根据权利要求5所述的基板制造方法,其中,在所述修复过程选择步骤中,确定在所述严重缺陷的有效范围内是否存在下层配线,如果存在所述下层配线,则从所述数据库中至少读取所述连接过程。
7.根据权利要求1所述的基板制造方法,其中,在所述匹配步骤中,分别对所述缺陷相对于所述不良配线图案的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个进行分级。
8.一种由多个配线图案形成在基体上的基板的基板制造方法,包括:
第一检查步骤,通过分别对所述多个配线图案执行电气检查来识别具有电气短路或断路的不良配线图案;
第二检查步骤,通过光学检查来检验所述基体上的缺陷的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个;以及
分级和匹配步骤,分别对所述缺陷相对于所述不良配线图案的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个进行分级,从而将所述第一检查步骤的结果与所述第二检查步骤的结果进行匹配并识别具有电气短路或断路的严重缺陷。
9.根据权利要求8所述的基板制造方法,其中,在执行所述分级和匹配步骤之后,包括用于修复所述严重缺陷的修复步骤。
10.一种用于制造由多个配线图案形成在基体上的基板的基板制造系统,包括:
第一检查部,用于通过分别对所述多个配线图案执行电气检查来识别具有电气短路或断路的不良配线图案;
第二检查部,用于通过光学检查来检验所述基体上的缺陷的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个;
匹配部,用于将所述第一检查部的结果与所述第二检查部的结果进行匹配,并识别具有电气短路或断路的严重缺陷;以及
第三检查部,用于通过光学检查来检验所述严重缺陷在像素中的相对位置和有效范围。
11.根据权利要求10所述的基板制造系统,其中,第三检查部包括:
光学系统,用于观测所述严重缺陷;
移动机构,用于相对移动所述光学系统和所述基体;以及
修复机构,用于修复所述严重缺陷。
12.一种用于制造由多个配线图案形成在基体上的基板的基板制造系统,包括:
第一检查部,用于通过分别对所述多个配线图案执行电气检查来识别具有电气短路或断路的不良配线图案;
第二检查部,用于通过光学检查来检验所述基体上的缺陷的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个;
分级和匹配部,用于分别对所述缺陷相对于所述不良配线图案的相对位置以及所述缺陷的类型和尺寸中的至少一个进行分级,从而将所述第一检查部的结果与所述第二检查部的结果进行匹配并识别具有电气短路或断路的严重缺陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造