[发明专利]成像装置、成像系统、其控制方法和其程序的存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种成像装置、成像系统、其控制方法及其程序，更具体地讲，涉及一种关于拍摄的图像的偏移校正技术。

背景技术

迄今为止，大多数照片为通过使用光学相机和银盐胶片而获得的胶片照片(银盐照片)。与半导体技术的发展相关联地，研制了诸如视频摄录机机的成像装置，其可通过使用固态成像器件来拍摄运动图像，所述固态成像器件使用由CCD类型的传感器或MOS类型的传感器作代表的硅(Si)单晶传感器。然而，就像素的数量和S/N比率而言，通过这样的使用固态成像器件的成像装置而获得的图像比胶片照片差。为了拍摄静止图像，通常使用胶片照片。

另一方面，最近几年，对通过计算机进行的图像处理、通过电子文件的保存、通过电子邮件的图像的传输等的需求日益增加。需要这样的电子成像装置，其用于输出作为数字信号的不比胶片照片图像差的照片图像。这不仅适用于一般的照片，而且还适用于检验和医学领域。

例如，在医学领域中存在作为使用照片技术的照片的X射线放射照片。将从X射线源产生的X射线照射到作为目标的人体的患处，X射线放射照片用于基于X射线的透射信息来辨别骨折或肿瘤等的存在或不存在。长期以来，X射线放射照片广泛用于医学诊断。通常，透射穿过患处的X射线进入磷光体一次，被转换为可见光，其后，被曝光到银盐胶片上。

然而，虽然银盐胶片具有灵敏度和分辨率高的这样的优点，但是存在这样的缺点，即，显影麻烦，保存和管理要花费时间，不能将胶片立刻发送到远程感光板上，等等。因此，需要这样的电子X射线成像装置，其用于输出作为数字信号的不比如上所提及的胶片照片图像差的照片图像。这不仅适用于医学领域，而且还适用于标本(诸如结构等)的无损检验领域。

为了满足这样的需求，正研制这样的成像装置(平板检测器；以下，缩写为“FPD”)，其使用通过两维布置具有由非晶氢化硅构成的光电转换元件的成像器件而获得的大规模传感器。通过使用这样的原理来实现FPD，即，当将反向电场施加于光电转换元件时，根据入射光的量的光电电流在半导体层中流动。

根据FPD，例如通过使用溅射装置、化学汽相蒸发沉积装置(CVD装置)等使金属层、非晶硅层等沉积到其一侧等于大约30-50cm的绝缘基底上，并形成光电转换元件(光电二极管)和薄膜晶体管(以下，缩写为“TFT”)。因而，例如，形成大约(2000×2000)的光电转换元件，反向偏压的电场被施加于这些光电转换元件，同时，可通过形成的TFT分别检测每个光电转换元件的反向流动的电荷。

然而，根据FPD，即使在没有光照射的状态下，称为暗电流的电流也流过，从而引起图像中的伪像。此外，暗电流对图像施以作为散粒噪声的影响，并变成引起检测能力退化的因素之一，所述检测能力即整个装置的灵敏度(S/N比率)。存在这样的情况，即，这样的退化对医学诊断和关于检验的判断产生不利的影响。例如，自然地，如果由于作为起因的散粒噪声而导致焦点和缺陷部分中的一个被忽略，则问题发生。因此，重要的是尽可能地减小暗电流。

发明内容

如图11所示，FPD中的暗电流具有时间依赖的响应特性。如图11所示，刚将偏压施加于光电转换元件之后的暗电流最大，该暗电流随着时间的流逝而逐渐降低(平稳)。考虑它的以下两个起因。

这两个起因之一在于，通常，在通过作为主组分材料的非晶硅半导体形成光电转换元件的情况下，通过非晶半导体膜中的悬挂键和在形成工艺中混合的杂质中的一个形成缺陷级。这些缺陷级起陷获级的作用。甚至就在施加偏压之后或者施加偏压之前，电子和空穴中的一种也被俘获，并且在几毫秒至几十秒时间过去之后，它们被热激发到导带或价带，并且传导电流(暗电流)流动。

在MIS(金属绝缘体半导体)类型的光电转换元件的情况下，通常已知存在许多陷获级，特别是在半导体层(I层)和注入阻止层(例如，N层)之间的界面部分中。在使用结晶类型的MIS类型的光电转换元件而不使用非晶半导体膜的情况下，通常已知，虽然它取决于形式该元件时的处理条件和装置，但是不存在与使用非晶半导体膜的情况下的陷获级一样多的陷获级。然而，在半导体层(I层)和注入阻止层(例如，N层)之间的界面部分中，存在许多不匹配的晶格，陷获级不等于零，并且存在图11中示出的光电转换元件的输出的趋势。