[发明专利]光刻胶图案的修补方法无效
申请号: | 200810090300.8 | 申请日: | 2008-04-21 |
公开(公告)号: | CN101566788A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 简永杰;江鸿儒 | 申请(专利权)人: | 东捷科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 红 |
地址: | 台湾省台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 图案 修补 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种光刻胶图案的修补方法,且特别涉及一种可实时进行的光刻胶图案的修补方法。
背景技术
目前,在液晶显示器的薄膜晶体管多组衬底的制作过程中,通常先沉积材料薄膜后,再利用光刻、蚀刻等工艺来制作多组图形。在光刻工艺中,先涂布光刻胶层于材料薄膜上,再通过光掩膜对光刻胶层进行曝光步骤以将光掩膜图案转移至光刻胶层,接着进行显影以移除部分的光刻胶层而将光掩膜图案转移至光刻胶层,再对剩余的光刻胶层进行烘烤而完成光刻胶图案的制作。
完成光刻工艺后,均会利用检测装置来检查光刻胶图案是否有缺陷,以决定是要进行后续的蚀刻工艺或重新设置光刻胶图案。当检测出光刻胶图案有缺陷时,检测装置会记录缺陷的位置与数量。若检测的结果为这些缺陷所在的位置或数量低于预定的制作规格时,会继续以光刻胶图案作为掩膜进行材料薄膜的蚀刻,再以去光刻胶液剥离剩余的光刻胶,而完成材料薄膜的多组图形的定义。由于当光刻胶图案具有断线缺陷时,若材料薄膜是用以制作金属线路时,会使所形成的金属线路呈现断路,因此于多组图形完成后需要进行修补。现阶段的薄膜晶体管多组衬底的修补方式是在断线以外的区域另外焊接金属导线等方式来补救断线的金属线路。
另一方面,若检测的结果为这些缺陷所在的位置或数量高于预定的制作规格时,则进行返工的程序,而利用去光刻胶液来将所形成的光刻胶图案予以剥除,然后再重新进行光刻胶层的涂布、曝光、显影与烘烤等光刻胶图案的制作程序。
然而,在完成线路结构的蚀刻后,再焊接额外的金属线路的修补方式,一般需使用昂贵的仪器设备,也需要一些相关耗材,因此会大大地提高生产成本。此外,这样的修补方式也会耗费相当长的时间,导致生产效率不高。
发明内容
因此,本发明所要解决的技术问题在于提供一种光刻胶图案的修补方法,其可在光刻胶的图案化完成后,实时对有缺陷的光刻胶图案进行修补,这样一来可免除在利用光刻胶图案来进行线路结构的蚀刻后,需另外以焊接金属线路的方式来进行线路结构的修补的程序。因此,可省下焊接金属线路以进行修补的程序时所需的相关仪器与耗材的使用,而可大幅降低工艺成本,还可大幅缩短修补时间,而有效提高生产效率。
根据本发明的上述目的,提出一种光刻胶图案的修补方法,至少包括:形成一材料层于一衬底上;形成一光刻胶图案于材料层的表面的第一部分上,其中光刻胶图案至少包括一缺陷区暴露出前述材料层的表面的第二部分;以及进行一修补步骤,以形成一光刻胶层设置在光刻胶图案的缺陷区中,并覆盖前述材料层的表面的第二部分。
依照本发明一较佳实施例,上述的光刻胶图案与光刻胶层的材料均为正型光刻胶。
依照本发明的另一较佳实施例,上述的光刻胶图案与光刻胶层由相同材料所组成。
依照本发明的又一较佳实施例,上述的修补步骤至少包括将一光刻胶液填入缺陷区中。此外,于将光刻胶液填入缺陷区中的步骤后,前述的修补步骤还至少包括利用激光修饰光刻胶图案,以移除光刻胶图案外的光刻胶液的多余部分。
附图说明
图1A至图5B示出根据本发明一较佳实施例的一种光刻胶图案的修补方法的工艺图,其中图1A、图2A、图3A、图4A与图5A为俯视图,而图1B、图2B分别为图1A、图2A的剖面图,图3B、图4B与图5B分别为沿着图3A、图4A与图5A的AA剖面线所获得的剖面图。
图6A示出根据本发明一较佳实施例的一种材料层经图案化后的俯视图;以及
图6B示出根据本发明一较佳实施例的一种材料层经图案化后的剖面图。
【主要器件符号说明】
100:衬底 102:材料层
104:表面 106:光刻胶层
108:光刻胶图案 110:缺陷区
112:缺陷区 114:光刻胶液
116:光刻胶层 118:器件结构
具体实施方式
本发明公开一种光刻胶图案的修补方法。为了使本发明的叙述更加详尽与完备,可参照下列描述并结合附图图1A至图6B。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东捷科技股份有限公司,未经东捷科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810090300.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备