[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体的方法，所述方法包括：

在硅衬底上形成第一柱状物和第二柱状物，所述第一柱状物和所述第二柱状物与所述衬底的材料相同，在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定有间隔；

在所述第一柱状物和所述第二柱状物上以及在二者之间限定的所述间隔上形成覆盖层；

移除在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔上形成的覆盖层部分，其中在移除所述覆盖层之后，暴露出所述第一柱状物与所述第二柱状物之间的衬底部分；

在所述覆盖层以及在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间的所述暴露的衬底部分上形成金属层；

对所述金属层实施第一热处理，使得接触所述暴露的衬底部分的金属层的第一部分转变为硅化物层，不接触所述暴露的衬底部分的金属层的第二部分保持为金属层；

移除所述金属层的第二部分，其中所述硅化物层在移除所述金属层的第二部分之后保留在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔处；和

在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔处的衬底中形成隔离沟槽，所述隔离沟槽延伸到所述硅化物层下方并将所述硅化物层分隔成第一硅化物结构和第二硅化物结构，所述第一硅化物结构与所述第一柱状物相关联，所述第二硅化物结构与所述第二柱状物相关联。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层包含氮化物层或氧化物层，或包含二者，所述覆盖层具有约10到约500的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除部分覆盖层的步骤包括湿蚀刻工艺以暴露出所述衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层具有约30到约500的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一热处理包括快速热处理(RTP)法。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层的第二部分通过使用硫酸溶液或SPM溶液来移除。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述硅化物层之后实施第二热处理。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述硅化物层上形成氧化防止层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述氧化防止层包含氮化物层并具有约5到约90的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一硅化物结构为第一位线和所述第二硅化物结构为第二位线，其中所述第一柱状物限定第一栅极结构和所述第二柱状物限定第二栅极结构。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一柱状物和所述第二柱状物中的每一个包括上部和下部，其中所述柱状物的下部用以限定栅极电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述柱状物的下部是凹陷的。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括形成连接所述第一柱状物和所述第二柱状物的字线。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

移除在所述柱状物的上部上形成的硬掩模图案，以暴露出所述柱状物；和

在所述柱状物的上部上形成存储电极。

15.一种制造半导体的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一柱状物和第二柱状物，在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定有间隔，所述第一柱状物与所述第二柱状物限定第一栅极电极和第二栅极电极；

在所述第一柱状物和所述第二柱状物上以及在二者之间限定的所述间隔上形成覆盖层；

移除在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔上形成的覆盖层部分，其中在移除所述覆盖层之后，暴露出所述第一柱状物与所述第二柱状物之间的衬底部分；

在所述覆盖层以及在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间的所述暴露的衬底部分上形成金属层；

对所述金属层实施第一热处理，使得接触所述暴露的衬底部分的金属层的第一部分转变为硅化物层；和

在所述第一柱状物与所述第二柱状物之间限定的所述间隔处的衬底中形成隔离沟槽，所述隔离沟槽延伸到所述硅化物层下方并将所述硅化物层分隔成第一硅化物结构和第二硅化物结构，所述第一硅化物结构与所述第一柱状物相关联，所述第二硅化物结构与所述第二柱状物相关联。