[发明专利]可动态变更测试流程的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子元件的测试方法，特别是涉及一种以可动态变更测试流程的测试方法。

背景技术

为了测试如大型集成(LSI)电路与超大型集成(VLSI)电路等的电子元件，通常是使用高性能的针测卡(probe card)，利用其精密的接触机构与待测晶圆(wafer)作接触，形成电性通路以执行测试。请参阅图1所示，是现有传统的半导体测试系统的示意图。由半导体测试系统10所发出的测试信号(讯号即信号)是经由传输线11传递到测试介面(业界一般称之为Tester)12，此测试信号再传递到主机板(motherboard)13上。接着，主机板13将信号传递到针测卡(probe card)14，该针测卡14再将信号传递到极细微的接触点15(site)。另一方面，测试机台将待测晶圆16承载于承盘17上，藉由移动该承盘17，使得晶圆16与针测卡14下方的接触点15相接触，接收测试信号以执行测试。测试完毕的信号由接触点15接收，经由上述相反的路径传送回到半导体测试系统10。上述的针测卡14仅负责测试而不处理待测晶粒(die)的座标，而测试机台则负责移动承盘17以对准待测晶粒的正确座标位置，使测试流程能准确进行。

请参阅图2所示，是图1现有传统的针测系统的测试流程(flow)图。在此流程中，待测晶粒依序进行各个测试步骤，如果通过某测试步骤，则继续往下进行另一测试步骤；如果发现某测试步骤失败了，则停止测试并将该待测晶粒分类(bin)至相关的失败分类(fail bin)；如果全部测试步骤都通过，才能将其分类至通过分类(pass bin)。现有传统的测试会采用多点(multi-site)的测试方法，也就是说，测试机台会具有多组接触点15，同时对多个晶粒进行测试。为了方便针测卡14上面的线路绕线及避免线路之间的交叉，通常是会采用如图3所示的斜行配置，图3是一般现有的多点测试常选用的斜行配置示意图。

但是，为了制作成本与产量控制等因素，同一光罩内也可能内含有不同的晶粒。请参阅图4A所示，是现有的晶圆的示意图，如图所示的待测晶圆，其中每一区块的制程是使用同一光罩(mask)，每一光罩内可能含有12×8个晶粒。此情形例如：对于具有语音播放功能的产品，为了因应各种语言的需求，必须分别设计、制造出不同语言的晶粒；这些不同语言晶粒的电路 可能完全相同，其不同之处仅在于所储存的不同语音资料(资料即数据，本文均称为资料)。若依照前述传统的晶圆设计、制造原则，应该针对不同的语言，设计使用不同的光罩；然而，如果各国的市场需求量不够大，则分别使用不同的光罩以制作晶圆并不符合成本效益。因此，请参阅图4B所示，是内含多种不同晶粒的光罩示意图，在这种情况下，光罩可能被设计成如图4B所示内含多种不同的晶粒，晶粒内的只读记忆体(ROM)(记忆体，即存储介质，存储单元，内存等，以下均称为记忆体)各储存有不同的语音内容，如此可以减少成本。

在测试此类内含不同晶粒的晶圆时，由于系统一般是被预设为大量测试，因此通常采用单一流程来进行测试；其测试流程是将各不同晶粒的测试内容全部写到测试流程软件内，再对每一晶粒皆加以进行相同的测试。请参阅图5所示，是显示现有传统的针对同一晶圆内不同晶粒进行多点(multi-site)测试的流程图。该测试流程包括：首先，进行两种晶粒的共同测试步骤20；如果各测试步骤都通过，接着进行两种晶粒的只读记忆体码(ROM Code)测试步骤21。不管待测晶粒的只读记忆体码是属于ROM Code A或者ROM Code B，每一待测晶粒都需要依序进行所有只读记忆体码(ROM CodeA及ROM Code B)的测试。测试时首先对待测晶粒进行ROM code A测试，若通过则传回通过信号Bin 1(测试分类)，失败则进行ROM code B测试，若通过则传回通过信号Bin 2，失败则传回ROM测试失败的Fail Bin。

前述现有传统的测试方法中，对于同时具有多种不同晶粒、需要多耗费数倍的测试时间，增加了许多测试成本；再者，由于进行多种测试程序的步骤失败后，只会传出单一的失败信号，因此当晶粒被标示为受测失败时，无法从中得知待测晶粒是在哪一种测试步骤，例如，ROM code A测试或ROM code B测试，从而发生错误。