[发明专利]半导体检查装置无效

专利信息
申请号: 200810090758.3 申请日: 2008-03-31
公开(公告)号: CN101275984A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 釜堀英生 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/28;G01R1/073
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 检查 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体检查装置,包括:

力探针,所述力探针将电压施加到半导体器件;和

传感探针,所述传感探针检测所述半导体器件的电压,其中

所述力探针接触所述半导体器件的电极,并且所述力探针和所述传感探针彼此接触以测量所述半导体器件的电特性,和

当从相对于所述半导体器件的电极表面垂直的方向观察时,所述力探针和所述传感探针大体上布置在同一条线上。

2.一种半导体检查装置,包括:

力探针,所述力探针将电压施加到半导体器件;和

传感探针,所述传感探针检测所述半导体器件的电压,其中

所述力探针接触所述半导体器件的电极,并且所述力探针和所述传感探针彼此接触以测量所述半导体器件的电特性,

与所述电极接触的所述力探针的端部形成为平坦的形状,和

所述传感探针的端部与所述力探针的所述端部接触,以便使所述传感探针与所述力探针彼此接触。

3.一种半导体检查装置,包括:

力探针,所述力探针将电压施加到半导体器件;和

传感探针,所述传感探针检测所述半导体器件的电压,其中

所述力探针接触所述半导体器件的电极,并且所述力探针和所述传感探针彼此接触以测量所述半导体器件的电特性,

与所述电极接触的所述力探针的端部形成为尖锐的形状,

所述力探针包括处于所述力探针的端部侧中的平坦部分,和

所述传感探针的端部与所述力探针的所述平坦部分接触,以便使所述传感探针与所述力探针彼此接触。

4.根据权利要求2的半导体检查装置,其中当从相对于所述半导体器件的电极表面垂直的方向观察时,所述力探针和所述传感探针大体上布置在同一条线上。

5.根据权利要求3的半导体检查装置,其中当从相对于所述半导体器件的电极表面垂直的方向观察时,所述力探针和所述传感探针大体上布置在同一条线上。

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