[发明专利]半导体检查装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种执行半导体器件检查的半导体检查装置。

背景技术

在典型的通过测量半导体器件的电特性来执行半导体器件检查的半导体检查装置中，使探针与半导体器件上的电极焊盘接触以测量半导体器件的电特性。

Be-Cu材料或W材料通常用作所述探针的材料。Be-Cu材料具有小电阻值和高测量精度然而它具有低耐久性。另一方面，W材料具有高耐久性然而由于它的大的电阻值，所以它具有低的测量精度。所以，当由带有W材料的探针测量所述半导体器件的电特性时，必须执行具有更好测量精度的开氏(Kelvin)测量。在Kelvin测量中，使力探针和传感探针与所述电极焊盘接触以测量电特性。力探针向半导体器件施加电压而传感探针检测所述半导体器件的电压。

目前半导体器件已经高度集成化并且半导体封装已经小型化，这意味着电极焊盘的尺寸和电极的间距在减小。另一方面，需要足够大的电极焊盘的面积或电极之间的间距，以使探针高精度地接触所述电极焊盘。按照常规的技术很难将探针布置在所述器件附近狭窄的间距处。所以，已经越来越难使高度集成和小型化的半导体器件的电极焊盘与探针高精度地接触。

例如，日本未审专利申请公开No.62-109334公开了一种技术，该技术使第一探针与电极焊盘接触并且使第二探针与所述第一探针的上部接触以执行Kelvin测量。因此，使小型化的电极焊盘与探针接触是可能的。

进一步地，日本未审专利申请公开No.5-144895公开了一种技术，如图3所示，使探针50与电极焊盘51接触由此进行Kelvin测量，其中所述的传感探针和力探针的尖端Kelvin连接到探针50。

进一步地，日本未审的专利申请公开No.9-203764公开了一种技术，如图4所示，通过力探针62和传感探针63连接半导体器件61的引线60以执行Kelvin测量。

然而，在所述的日本未审专利申请公开No.62-109334中，将第二探针布置在相对于第一探针倾斜的位置处(见图3B，日本未审专利申请公开No.62-109334的示例)。所以，由两个探针占用的空间变大以致于不能将所述探针布置在相对于高度集成的半导体器件的狭窄的间距处。同样地，在日本未审专利申请公开No.5-144895中，探针50被分成两个部分，这使得在相对于半导体器件的狭窄的间距处不可能布置探针50。

在日本未审专利申请公开No.62-109334中，尖锐地形成所述的第一探针和第二探针，这使两个探针很难高精度地互相接触。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了半导体检查装置，所述半导体检查装置包括当从垂直于半导体器件的电极表面的方向观看时，基本上在同一条线上布置的力探针和传感探针。由于具有这样的结构，可以减少所述探针所占用的空间。因此，能将所述探针布置在相对于高度集成的半导体器件的狭窄间距处。

根据本发明的第二方面，提供了半导体检查装置，该检查装置具有与电极接触的力探针的端部并且使该端部呈平坦的形状。然后传感探针的端部与所述力探针的端部接触，以便使所述传感探针与所述力探针接触。通过具有这样的结构，当传感探针的端部与在所述力探针的平坦表面内形成的端部的任何部分相接触时，都能使所述传感探针与所述力探针接触。所以，能使探针高精度地接触。

进一步地，根据本发明的第三方面，提供了半导体检查装置，该半导体检查装置具有与电极连接并且锐利地形成的力探针的端部。力探针包括处于所述力探针的端部侧中的平坦部分。传感探针具有与所述力探针的平坦部分相接触的端部，以便使所述传感探针与所述力探针接触。通过具有这样的结构，在电极和力探针之间形成了点接触。所以，能防止在所述电极与所述力探针接触时可能发生的位移。当传感探针的端部与力探针的平坦表面的任何部分接触时，都能使所述传感探针与所述力探针接触。所以，能使探针高精度地接触。

根据本发明，能将所述探针布置在相对于高度集成的半导体器件的狭窄间距处。进一步地，能使所述力探针高精度地与所述传感探针接触。

附图说明

结合附图，根据下列特定优选实施例的描述，本发明的上述及其它的目的、优点和特征将更加显而易见，其中：

图1是示意地示出根据本发明第一实施例的半导体检查装置的透视图；

图2是示意地示出根据本发明第二实施例的半导体检查装置的透视图；

图3是示意地示出现有半导体检查装置的透视图；及

图4是示意地示出另一现有半导体检查装置的透视图。

优选实施方式