[发明专利]薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示装置无效
| 申请号： | 200810090963.X | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101252136A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 钟德镇;简廷宪;邱郁雯;廖家德 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/482;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 臧霁晨;陈景峻 |
| 地址： | 31001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 具有 液晶 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板，包括多条信号线、多个薄膜晶体管、一端与上述多条信号线连接的多个信号端子、以及与上述多个信号端子的另一端连接的多条信号引线，其特征在于，
所述信号端子由第一信号端子部和第二信号端子部构成，并且第一信号端子部和第二信号端子部通过由具有耐蚀的材料形成的信号端电极电性连接。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，上述信号线为栅极线或者/以及数据线，上述信号引线为栅极引线或者/以及信号引线，
上述信号端子为栅极端子或者/以及数据端子。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述耐蚀的材料是ITO或IZO。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一信号端子部和第二信号端子部由单层的钼、或者单层的铝、或者钼铝复合层的金属层制成。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述信号引线为S型或者近S型构造。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一信号端子部和所述第二信号端子部由同一金属层形成。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一信号端子部和所述第二信号端子部由不同金属层形成。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在所述第一信号端子部和所述第二信号端子部之间设有绝缘层。
9.一种液晶显示装置，其特征在于，具有如权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管基板。
10、如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一信号端子部和所述第二信号端子部由同一金属层形成。
11、如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一信号端子部和所述第二信号端子部由不同金属层形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
