[发明专利]薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板，尤其涉及一种能够有效防止金属腐蚀的薄膜晶体管基板以及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示装置。

背景技术

目前，在工业上制造完成的液晶显示器面板(LCD panel)出厂时，须经由一道检测工序，以检测该液晶显示器面板中控制各像素(pixel)显示的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)工作是否正常。因此，在液晶显示器面板的四周需要对检测电路进行布线，其中最常用的布线方式为杆状短路布线(shoring-barlayout)。

图1示出了现有技术中带有杆状短路布线型检测电路的薄膜晶体管基板(TFT基板)的示意图。在图1中，2表示栅极线，3表示数据线，4表示栅极端子，5表示数据端子，21表示栅极引线，26表示数据引线，22、23表示栅短路棒，27、28表示数据短路棒，10表示控制各像素显示的薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管基板由与栅极驱动端G相连的多条栅极线2和与数据驱动端D相连的多条数据线3相互垂直交叉而形成，其中，栅极线2和数据线3分别用来传递扫描信号和数据信号(故栅极线和数据线可统称为信号线)，在该多条栅极线2和多条数据线3垂直交叉处设有用于控制各个像素显示的薄膜晶体管10。栅极线2通过栅极端子4与栅极引线21相连，并利用相应的栅短路棒连接到外围检测电路；数据线3通过数据端子5与数据引线26相连，并利用相应的数据短路棒连接到外围检测电路。这里，相邻的栅极引线分别连接至不同的栅短路棒，而且相邻的数据引线分别连接至不同的数据短路棒。当薄膜晶体管基板完成检测后，外围的检测电路沿着如图1所示的切割线20(包括栅极端子侧和数据端子侧)被切下，以进行后续的工艺制程。

图2A示出了栅极端子4附近的放大平面图，而图2B为沿图2A中的直线I-I截取的平面图。如图2A和图2B所示，单层的金属钼被用作栅极线材料。在制造栅极线2的步骤中，将栅极端子4、栅极引线21一起形成在玻璃基板1上。然后，栅极绝缘层6沉积，并且在栅极绝缘层6上依次形成有源层7与欧姆接触层14。随后，利用单层钼形成源极8、漏极9和栅短路棒22、23(这里在图中未示出，而是通过对栅极引线21末端上方的栅极绝缘层进行局部的蚀刻工艺形成一通孔而使栅短路棒与栅极引线电性相通，进而实现对面板的检测)。接着，沉积钝化层11，并用氧化铟锡(ITO)材料形成栅极端电极13，栅极端电极13通过接触孔12与栅极端子4电连接。最后，沿切割线20切断栅短路棒与栅极端子4之间的栅极引线21，以便把TFT基板与外围检测电路分开。

值得关注的是，在切断栅短路棒与栅极端子4之间的栅极引线21后，栅极引线21的切断面会暴露于空气中，因此空气中的水气会进入该切断面，而作为形成栅极引线21的金属钼是一种易腐蚀的金属，也就是说，在栅极引线21的切断面上易发生金属腐蚀，如图3所示。并且，该腐蚀会进一步向栅极端子4处扩散，甚至腐蚀到栅极线，以致影响到面板的品质。除钼单层之外，常用的铝单层、钼/铝复合层等在空气中也易受到腐蚀而不能满足品质要求。同样，与栅极端子附近发生金属腐蚀的情况相类似，在薄膜晶体管基板的数据端子附近也会发生金属腐蚀的现象。

发明内容

针对现有技术中薄膜晶体管基板在栅极端子和/或数据端子附近容易发生金属腐蚀的现象，本发明提供了一种薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示装置，当把显示区域与该薄膜晶体管基板的外围检测电路间的引线切断后，可以有效地防止金属腐蚀扩散至显示区域。

本发明的薄膜晶体管基板，包括多条信号线、多个薄膜晶体管、一端与上述多条信号线连接的多个信号端子、以及与上述多个信号端子的另一端连接的多条信号引线，其特征在于，

所述信号端子由第一信号端子部和第二信号端子部构成，并且第一信号端子部和第二信号端子部通过由具有耐蚀的材料形成的信号端电极电性连接。

其中，上述信号线为栅极线或者/以及数据线，上述信号引线为栅极引线或者/以及信号引线，上述信号端子为栅极端子或者/以及数据端子。

其中，所述耐蚀的材料是ITO或IZO。

其中，所述第一信号端子部和第二信号端子部由单层的钼、或者单层的铝、或者钼铝复合层的金属层制成。

其中，所述信号引线为S型或者近S型构造。

其中，所述第一信号端子部和所述第二信号端子部由同一金属层形成。

其中，所述第一信号端子部和所述第二信号端子部由不同金属层形成。

其中，在所述第一信号端子部和所述第二信号端子部之间设有绝缘层。