[发明专利]堆叠式芯片封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200810091271.7 申请日: 2008-05-04
公开(公告)号: CN101266967A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 沈启智;陈仁川;张惠珊 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 芯片 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种堆叠式芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供第一晶圆,其中所述第一晶圆具有多个第一芯片单元,且各所述第一芯片单元上配置有多个第一凸块;

切割所述第一晶圆,使各所述第一芯片单元分别形成第一芯片;

提供第二晶圆,所述第二晶圆具有多个第二芯片单元;

将所述第一芯片分别接合至所述第二晶圆上的所述第二芯片单元,使各所述第一芯片透过所述第一凸块与相对应的所述第二芯片单元电性连接;

填充第一底胶于各所述第一芯片与相对应的所述第二芯片单元之间,使所述第一底胶包覆所述第一凸块;

研磨所述第一芯片的背部,以薄型化所述第一芯片;

在各所述第二芯片单元承载所述第一芯片的表面上形成多个第二凸块;

切割所述第二晶圆,使各所述第二芯片单元分别形成第二芯片,其中各所述第二芯片、所述第一芯片、所述第一凸块以及所述第一底胶是形成封装结构;

将所述封装结构倒置并接合在对接基板上,使所述封装结构的所述第二芯片透过所述第二凸块与所述对接基板电性连接;以及

填充第二底胶在所述第二芯片与所述对接基板之间,以包覆所述第二凸块、所述第一芯片以及所述第一底胶。

2.如权利要求1所述的堆叠式芯片封装结构的制作方法,其特征在于,将所述第一芯片分别接合至所述第二晶圆上的所述第二芯片单元的方法包括热压合或是以超声波结合。

3.如权利要求1所述的堆叠式芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述第二凸块的高度大于所述第一芯片的背部至所述第二芯片的距离。

4.如权利要求1所述的堆叠式芯片封装结构的制作方法,其特征在于,将所述封装结构接合至所述对接基板的方法包括热压合或是以超声波结合。

5.如权利要求1所述的堆叠式芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括研磨所述第二芯片的背部,以薄型化所述第二芯片。

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