[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200810091639.X | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101303968A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄;中田宏幸;松下佳彦 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;B08B3/02;G03F7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其具有喷嘴部件,该喷嘴部件向输送中的基板的上表面,从输送方向的上游侧朝向下游侧而沿倾斜方向喷出处理液,其特征在于,具有:
气体喷射装置,其向上述喷嘴部件喷射气体;
控制装置,其控制上述气体喷射装置在上述喷嘴部件的下方不存在基板时喷射上述气体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述控制装置控制上述气体喷射装置,在从上述喷嘴部件开始喷出处理液起到满足使该处理液的喷出状态稳定的给定的稳定化条件为止的期间,喷射上述气体。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述控制装置控制上述气体喷射装置只在被处理基板即将到达上述喷嘴部件下方的给定时间内喷射上述气体。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述气体喷射装置从上述输送方向的上游侧向下游侧对上述喷嘴部件喷射上述气体。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述喷嘴部件的上述输送方向上游侧设置有防止倒流装置,该防止倒流装置通过向基板的上表面喷射气体,防止基板上的处理液向上游侧流动,并且,该防止倒流装置,通过以能够对基板以及上述喷嘴部件双方喷射上述气体的方式构成,从而能够兼作上述气体喷射装置来使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造