[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200810091639.X | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101303968A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄;中田宏幸;松下佳彦 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;B08B3/02;G03F7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置,其向LCD、PDP用玻璃基板以及半导体基板等基板供给处理液来实施各种处理。
背景技术
以往已公布了如下的基板处理装置,即,边输送基板边对基板通过向其表面供给各种处理液来实施给定的处理,例如,在专利文献1(JP特开2004-273984号公报)中边输送药液处理过的基板,边通过液刀(slit nozzle:狭缝喷嘴)以及喷淋喷嘴(shower nozzle)依次向基板供给清洗液来实施清洗处理。
该装置以如下方式构成,即,对输送过来的基板,首先通过液刀从输送方向上游侧向下游侧沿斜方向喷出带状的清洗液,由此使药液反应从基板的前端侧开始按顺序沿基板的宽度方向迅速并均匀地进行而结束,其后,利用从喷淋喷嘴喷出的清洗液,对基板实施最后清洗处理。
本发明要解决的问题
从经验中可以知道,从液刀喷出清洗液时,到清洗液的流量稳定到一定程度为止,会多少产生一些液体滴流现象。在这种情况下,可能会存在如下问题,即,若顺着刀表面流下的清洗液残留在液刀下面等处,则它们会落到输送中的基板上,从而导致基板的质量下降。即,由于清洗液从液刀滴落下来,所以部分药液会在早期在比本来的喷射(供应)位置靠上游侧的位置上被置换,其结果,会破坏在基板面内的药液反应时间的均一性。另外,若长时间持续喷出清洗液,则清洗液的雾会附着在液刀上,进而该雾会形成为液滴从液刀滴落到基板上。这种情况也跟上述情况一样成为基板质量下降的原因。因此,希望找出一种防范于未然的方法。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而做出的,其目的在于提供一种基板处理装置,通过防止不必要的处理液从液刀等的喷嘴部件滴落到基板上,从而为提高基板的质量做出贡献。
(1)为了解决上述的问题,本发明提供一种基板处理装置,其具有喷嘴部件,该喷嘴部件向输送中的基板的上表面,从输送方向的上游侧朝向下游侧而沿倾斜方向喷出处理液,其特征在于,具有:气体喷射装置,其向上述喷嘴部件喷射气体;控制装置,其控制上述气体喷射装置在上述喷嘴部件的下方不存在基板时喷射上述气体。
根据(1),通过气体喷射装置对喷嘴部件喷射气体来除去因液体滴流而引起的处理液的液滴等附着在喷嘴部件的表面上的处理液。为此,能够防止附着在喷嘴部件上的处理液滴落到基板上。此外,因为被控制成在喷嘴部件的下方不存在基板时进行喷射,所以从喷嘴部件被除去掉的处理液不会飞散到基板上。
(2)作为具体的构成,上述控制装置例如以如下方式控制上述气体喷射装置,即,使该气体喷射装置,在从上述喷嘴部件开始喷出处理液起到满足使该处理液的喷出量稳定的给定的稳定化条件为止的期间,喷射上述气体。
根据(2),能够有效地防止因处理液的喷出开始之后不久的液体滴流而引起的来自喷嘴部件的处理液的滴落。
(3)另外,上述控制装置以如下方式控制上述气体喷射装置,即,使该气体喷射装置,只在被处理基板即将到达上述喷嘴部件下方的给定时间内喷射上述气体。
根据(3),能够在即将进行基板处理之前除去附着在喷嘴部件上的雾状的处理液等。
(4)此外,在上述的构成中,优选上述气体喷射装置从上述输送方向的上游侧向下游侧对上述喷嘴部件喷射上述气体。
根据(4),因为能够将附着在喷嘴部件上的处理液吹向下游侧,从而能够有效地防止被除去掉的处理液飞散到处理前的基板上。
(5)此时在上述喷嘴部件的上述输送方向上游侧设置有防止倒流装置,该防止倒流装置通过向基板的上表面喷射气体,防止基板上的处理液向上游侧流动,并且,该防止倒流装置,通过以能够对基板以及上述喷嘴部件双方喷射上述气体的方式构成,从而能够兼作上述气体喷射装置来使用。
根据(5),利用将该防止倒流装置作为上述气体喷射装置兼用的合理的结构,能够除去附着在喷嘴表面上的处理液。
发明的效果
根据上述(1)~(5)所述的基板处理装置,能够有效地防止不必要的处理液从喷嘴部件滴落到基板上,从而能够为提高基板质量做出贡献。特别是根据上述(2)的结构,能够有效地防止因开始喷出处理液之后的液体滴流而引起的处理液的滴落,另外,根据上述(3)的结构,能够有效地防止因附着在喷嘴部件上的雾状的处理液而引起的处理液的滴落。此外,根据上述(4)的结构,能够防止从喷嘴部件除去的处理液飞散在处理前的基板上,还有,根据上述(5)的结构,得到上述的效果的同时,能够实现将防止倒流装置作为气体喷射装置兼用的合理的结构。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造