[发明专利]具有多晶粒并排配置的半导体组件封装结构及其方法

权利要求书

1、一种半导体组件封装结构，包含：

一具有晶粒容纳通孔及连接通孔结构的基底；

第一接触垫形成于该基底的上表面及第二接触垫形成于该基底的下表面，其中该第二接触垫形成于该下表面的边缘区域；

一具有第一连接垫的第一晶粒及一具有第二连接垫的第二晶粒分别配置于该晶粒容纳通孔内；

一接合电路形成于该上表面用以耦合互接垫及该第一接触垫，该互接垫形成于该第一晶粒与该第二晶粒之间及该第二晶粒的侧边；

一第一黏着材料形成于该第一晶粒及该第二晶粒下；

一第二黏着材料填满于该第一晶粒与该基底的该晶粒容纳通孔侧壁的间隙内，及填满于第二晶粒与该基底的该晶粒容纳通孔侧壁的间隙内；

接合线耦合该第一连接垫与该第一接触垫，及耦合该第二连接垫与该第一接触垫；且

一介电层形成于该接合线、该第一晶粒、该第二晶粒及该基底上。

2、如权利要求1所述的结构，其中，包含复数导电凸块形成于该下表面并耦合至该第二接触垫；其中该复数导电凸块由该通孔结构与该第一连接垫及该第二连接垫形成电性连接。

3、如权利要求1所述的结构，其中，包含一金属或导电层形成于该基底的该晶粒容纳通孔的侧壁上。

4、如权利要求1所述的结构，其中，该连接通孔结构的形成是贯穿该基底，并形成于该基底的侧边。

5、如权利要求1所述的结构，其中，该基底的材质包含环氧型FR5、FR4、BT(Bismaleimide triazine)、金属、合金、玻璃、硅、陶瓷或印刷电路板(PCB)；其中该合金包含合金42(42％镍-58％铁)或Kovar(29％镍-17％钴-54％铁)。

6、如权利要求1所述的结构，其中，该第一黏着材料及该第二黏着材料的材质为相同材质，其材质包含有硅氧烷聚合物(SINR)、WL5000、橡胶、环氧化物、液态化合物及聚亚酰胺；其中该介电层的材质包含液态化合物、树脂、硅胶及环氧型化合物。

7、如权利要求1所述的结构，其中，该连接通孔结构是填满一导电材质。

8、如权利要求1所述的结构，其中，包含一金属层由溅镀及/或电镀形成于该第一晶粒及该第二晶粒的背面。

9、如权利要求1所述的结构，其中，该接合电路用以耦合形成于该第一晶粒与该第二晶粒间的该互接垫。

10、如权利要求1所述的结构，其中，该接合线耦合该第一连接垫与该互接垫，以及耦合该第二连接垫与该互接垫。