[发明专利]标准单元和具有该标准单元的半导体装置有效
申请号: | 200810091823.4 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101281906A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 尾添律子;谷口博树;西村英敏;田丸雅规;近藤英明 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标准 单元 具有 半导体 装置 | ||
1、一种标准单元,用于构成半导体装置,
布线间距在170nm以下,
该标准单元包括:
第一信号布线,其形成于第一布线层,并沿第一方向延伸;和
第二和第三信号布线,形成于所述第一布线层,沿实质上与所述第一方向垂直的第二方向延伸,并隔着所述第一信号布线而对置;
所述第二和第三信号布线中的至少一方的布线宽度比所述第一信号布线的布线宽度大。
2、根据权利要求1所述的标准单元,其特征在于,
所述第二和第三信号布线中的至少一方的布线宽度在该标准单元内的信号布线中最大。
3、根据权利要求1或2所述的标准单元,其特征在于,
所述第二和第三信号布线的布线宽度均比所述第一信号布线的布线宽度大。
4、一种标准单元,用于构成半导体装置,
布线间距在170nm以下,
该标准单元包括:
第一信号布线,其形成于第一布线层,并沿第一方向延伸;
第二和第三信号布线,形成于所述第一布线层,沿实质上与所述第一方向垂直的第二方向延伸,并隔着所述第一信号布线而对置;
第四信号布线,其形成于所述第一布线层,并沿所述第一方向延伸;
第五信号布线,其形成于所述第一布线层,沿所述第二方向延伸,并与所述第四信号布线邻接;
所述第二信号布线的布线端与所述第一信号布线之间的间隔、以及所述第三信号布线的布线端与所述第一信号布线之间的间隔中的至少一方,比所述第五信号布线的布线端与所述第四信号布线之间的间隔大。
5、根据权利要求4所述的标准单元,其特征在于,
所述第二信号布线的布线端与所述第一信号布线之间的间隔、以及所述第三信号布线的布线端与所述第一信号布线之间的间隔,均比所述第五信号布线的布线端与所述第四信号布线之间的间隔大。
6、一种标准单元,用于构成半导体装置,
布线间距在170nm以下,
该标准单元包括:
第一信号布线,其形成于第一布线层,与单元框邻接,且与单元框平行地延伸;和
第二信号布线,其形成于所述第一布线层;
所述第一信号布线的布线宽度比所述第二信号布线的布线宽度大。
7、根据权利要求6所述的标准单元,其特征在于,
所述第一信号布线的布线宽度在该标准单元内的信号布线中最大。
8、一种标准单元,用于构成半导体装置,
布线间距在170nm以下,
该标准单元包括:
第一信号布线,其形成于第一布线层,与单元框邻接,且沿与单元框垂直的方向延伸;和
第二信号布线,其形成于所述第一布线层;
所述第一信号布线的布线宽度比所述第二信号布线的布线宽度大。
9、根据权利要求8所述的标准单元,其特征在于,
所述第一信号布线的布线宽度在该标准单元内的信号布线中最大。
10、一种半导体装置,具备权利要求1~9中任一项所述的标准单元。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的