[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，包括：

半导体基板，

设置在上述半导体基板的上方的第一绝缘膜，

设置在上述第一绝缘膜的至少上部的布线层，

覆盖上述布线层的上部的耐氧化性导体膜，

设置在上述第一绝缘膜及上述耐氧化性导体膜上的第二绝缘膜，

设置在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，

贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、达到上述耐氧化性导体膜的至少一个接触导体部。

2、如权利要求1所述的半导体器件，

上述耐氧化性导体膜是在上述布线层的上部区域引入氮的氮引入层。

3、如权利要求1所述的半导体器件，

上述耐氧化性导体膜是氮化钛。

4、如权利要求1所述的半导体器件，

上述布线层是第一布线层，

上述耐氧化性导体膜是设置在上述第一布线层上的第一耐氧化性导体膜，

上述接触导体部是第一接触导体部，还包括：

设置在上述第一绝缘膜的至少上部的第二布线层，

覆盖上述第二布线层上部的第二耐氧化性导体膜，

贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、到达上述第二耐氧化性导体膜的第二接触导体部，

上述第一接触导体部与上述第二接触导体部相比，其上面的面积大。

5、如权利要求4所述的半导体器件，

上述第一接触导体部具有矩形或带状的平面形状，

上述第二接触导体部，具有圆形或正方形的平面形状。

6、如权利要求4所述的半导体器件，

上述第一布线层及上述第一接触导体部，是设置成环状的密封环。

7、如权利要求1所述的半导体器件，

在上述半导体基板内设置有元件，

上述布线层与上述元件电连接。

8、如权利要求1所述的半导体器件，

上述第二绝缘膜是含有碳的硅绝缘膜。

9、一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：

在半导体基板的上方形成第一绝缘膜的工序(a)，

在上述第一绝缘膜的至少上部形成布线层的工序(b)，

形成覆盖上述布线层上方的耐氧化性导体膜的工序(c)，

在上述第一绝缘膜及上述耐氧化性导体膜上形成第二绝缘膜的工序(d)，

在上述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜的工序(e)，

将上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜中位于上述布线层的上方的部分，以光致抗蚀剂作为掩模除去的工序(f)，

以及除去上述光致抗蚀剂的工序(g)。

10、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

在上述工序(c)中，在上述布线层的上部，通过进行等离子体处理、湿式处理或离子注入引入氮，形成上述耐氧化性导体膜。

11、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

在上述工序(c)中，作为上述耐氧化性导体膜，在上述布线层上沉积含有氮的膜。

12、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

在上述工序(b)中，作为上述布线层，形成第一布线层和第二布线层，

在上述工序(c)中，在上述第一布线层及上述第二布线层上形成耐氧化性导体膜，

在上述工序(f)中，通过除去上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜中位于上述第一布线层上方的部分，形成沟槽状图形，通过除去上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜中位于上述第二布线层上方的部分，形成孔状图形。

13、如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，

在上述工序(a)之前，进一步包括在上述半导体基板内形成元件的工序(h)，

在上述工序(b)中，形成与上述元件电连接的上述布线层。