[发明专利]平板显示器的玻璃基底的蚀刻设备和蚀刻玻璃基底的方法有效
申请号: | 200810092186.2 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101286445A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 崔浩根;金龙佑;李明基;金八坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;FNS技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C03C15/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示器 玻璃 基底 蚀刻 设备 方法 | ||
本申请要求于2007年4月10日提交的第2007-35108号韩国专利申请的优先权,该申请的内容通过引用完全包含于此。
技术领域
本发明涉及一种平板显示器的玻璃基底的蚀刻设备。更具体地讲,本发明涉及一种缩短了蚀刻工艺时间并提高了玻璃基底的均匀度的蚀刻设备。
背景技术
例如,平板显示器(例如液晶显示器、等离子体显示面板、电致发光显示器和真空荧光显示器)广泛地用在各种电子装置中。为了将平板显示器用在移动电子装置(例如移动电话和个人数字助理)中,例如,平板显示器需要具有期望的性质(例如,纤薄和重量轻)。为此,已经对重量减小(例如,轻)的移动电子装置的玻璃基底组件进行了研究和开发。
然而,在采用薄的玻璃基底来减小玻璃基底的重量的情况下,薄的玻璃基底容易弯曲或破裂。此外,例如,当利用许多小的玻璃基底来组装具有薄的玻璃基底的平板显示器时,由此增大了平板显示器的制造成本。
因此,采用这样的方法来减少制造成本,在该方法中,在一对大的玻璃基底上制造若干平板显示器,其中,根据将分别制造平板显示器的区域将所述大的玻璃基底切割成较小的玻璃基底。然而,在该制造工艺中,因为较小的玻璃基底必须具有足够的厚度以防止较小的玻璃基底在制造工艺过程中破裂,所以需要蚀刻设备将较小的玻璃基底蚀刻成特定的期望的厚度,
然而,根据现有技术的蚀刻设备,利用支撑构件将大的玻璃基底传送到蚀刻设备中,因此一次只能蚀刻一个玻璃基底。此外,因为蚀刻设备仅采用一条传送线,所以降低了生产率。
此外,在玻璃基底具有不平坦的蚀刻表面的情况下,喷射设备位于最接近玻璃基底的位置,以向玻璃基底涂敷蚀刻剂。然而,玻璃基底的与以强力喷射蚀刻剂的喷嘴的位置对应的区域与玻璃基底的与以较弱的力喷射蚀刻剂的另一喷嘴对应的区域被不同地蚀刻,例如,被蚀刻成不同的厚度。因此,降低了玻璃基底的均匀度,并且玻璃基底被不平坦地蚀刻。
发明内容
本发明包括一种玻璃基底的蚀刻设备,该蚀刻设备能够同时蚀刻多于一个的玻璃基底,从而缩短了玻璃基底的蚀刻工艺时间并提高了玻璃基底的厚度均匀度。
在本发明的示例性实施例中,一种平板显示器的玻璃基底的蚀刻设备包括:蚀刻室;夹具,多个玻璃基底安放在夹具上;夹持构件,连接到夹具,以夹持玻璃基底;传送线,连接到夹具,以将夹具传送到蚀刻室中;喷射构件,将蚀刻剂喷射到玻璃基底的表面上。蚀刻剂的喷射压强等于或大于大致0.1kg/cm2,且小于大致0.5kg/cm2。
喷射构件可以设置在蚀刻室中,并且喷射构件可以包括沿着顺时针方向和/或逆时针方向旋转的喷嘴。
该蚀刻设备还可包括连接到蚀刻室以移动蚀刻室的驱动部分。
蚀刻剂包括氟酸、磷酸和硝酸中的一种,喷射构件和玻璃基底之间的距离大于大致100mm,并且等于或小于大致150mm。在选择性的示例性实施例中,喷射构件和玻璃基底之间的距离为大致120mm。
夹持构件包括:后夹持销,连接到至少一个玻璃基底的后表面;能够旋转的前夹持销,连接到所述至少一个玻璃基底的前表面。
能够旋转的前夹持销具有能够与夹持构件分离和/或能够附于夹持构件的结构。
在选择性的示例性实施例中,一种蚀刻平板显示器的玻璃基底的方法包括以下步骤:将蚀刻室构造成容纳夹具;将玻璃基底设置在夹具上;将夹持构件连接到夹具,以夹持玻璃基底;采用连接到夹具的传送线将夹具传送到蚀刻室中;采用喷射构件将蚀刻剂喷射到玻璃基底的表面上。蚀刻剂的喷射压强等于或大于大致0.1kg/cm2,且小于大致0.5kg/cm2。
将蚀刻剂喷射到玻璃基底的表面上的步骤可包括:沿着顺时针方向和逆时针方向中的至少一个方向旋转喷嘴。
该方法还可包括以下步骤:将驱动部分连接到蚀刻室,采用驱动部分移动蚀刻室。
喷射构件和玻璃基底之间的距离大于大致100mm,并且等于或小于大致150mm。在又一选择性的示例性实施例中,喷射构件和玻璃基底之间的距离为大致120mm。
蚀刻剂可包括氟酸、磷酸和硝酸中的一种。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例,本发明的以上和其他方面、特征及优点将变得更加易于清楚,在附图中:
图1A是根据本发明示例性实施例的蚀刻设备的侧面透视图;
图1B是根据图1A中示出的本发明示例性实施例的蚀刻设备的局部剖面侧视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;FNS技术有限公司,未经三星电子株式会社;FNS技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810092186.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造