[发明专利]闪存的控制电路及控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种闪存的控制电路及控制方法，且特别是涉及一种根据主机对闪存是循序存取或随机存取而动态地选择出较佳的页对映方式的闪存的控制电路及控制方法。

背景技术

请参照图1，其示出了是将虚拟数据块对映到实体数据块的示意图。现有闪存文件系统(FFS)是利用数据块对映(Block Mapping)的方式，将虚拟数据块120分别对映于实体数据块140，亦即，对映的基本单元为一个数据块。其中，现有闪存文件系统是借由一数据块对映表(Block Mapping Table)找出与虚拟数据块120相对应的实体数据块140。

虚拟数据块120及实体数据块140分别包括虚拟页及实体页，而虚拟页及实体页的对映方式可以为下述的第一种页对映方式或第二种页对映方式。

第一种页对映方式

请参照图2，其示出了第一种页对映方式的示意图。图1示出的虚拟数据块120在图2中是以虚拟数据块120(1)至虚拟数据块120(m)表示，且虚拟数据块120(1)至虚拟数据块120(m)各包括虚拟页122(0)至虚拟页122(n)。而

图1示出的实体数据块140在图2中是以实体数据块140(1)至实体数据块140(m)表示，且实体数据块140(1)至实体数据块140(m)各包括实体页142(0)至实体页142(n)。

前述的第一种页对映方式称为循序数据块(In-Order Block)。在第一种页对映方式中，第一个虚拟数据块120(1)的第1个虚拟页122(1)是对映至第一个实体数据块140(1)的第1个实体页142(1)，而第一个虚拟数据块120(1)的第2个虚拟页122(2)是对映至第一个实体数据块140(1)的第2个虚拟页142(2)，以此类推。同样地，第二个虚拟数据块120(2)的第1个虚拟页122(1)是对映至第二个实体数据块140(2)的第1个实体页122(1)，而第二个虚拟数据块120(2)的第2个虚拟页122(2)是对映至第二个实体数据块140(2)的第2个实体页142(2)，以此类推。

由于虚拟数据块120(1)至虚拟数据块120(m)中的虚拟页是与实体数据块140(1)至实体数据块140(m)中的实体页依序对映，因此，不需要额外的页对映表(Page Mapping Table)即可找出与实体页142相对应的实体页122。

第二种页对映方式

第二种页对映方式称为非循序数据块(Out-of-Order Block)。在第二种页对映方式中，各虚拟数据块120中的实体页122与实体数据块140中的虚拟页142并无上述依序对映的关系。所以，需要建立额外的页对映表(PageMapping Table)才能找出与虚拟页142相对应的实体页122。

然而，当主机是对闪存随机存取(Random Write Sequence)时，第一种页对映方式将造成效能的降低。此外，当主机是对闪存循序存取(SequentialWrite Sequence)时，第二种页对映方式也将造成效能的降低。因此，如何提出较佳的解决方式以改善效能的降低，即成为目前所急需解决的问题。

发明内容

本发明涉及一种闪存的控制电路及控制方法，根据主机对闪存是循序存取或随机存取而动态地选择出较佳的页对映方式(如循序数据块(In-OrderBlock)或非循序数据块(Out-Of-Order Block))，进而提高效能。。

根据本发明，提出一种闪存的控制电路。闪存的控制电路用于控制主机与闪存之间的数据存取，且控制电路包括主机接口、闪存控制器、预测单元、循序数据块(In-Order Block)存取单元及非循序数据块(Out-Of-Order Block)存取单元。

主机接口用以接收主机输出的第一存取命令，以存取一更新数据块至闪存。预测单元根据第一存取命令判断主机是对闪存循序存取(SequentialWrite Sequence)或随机存取(Random Write Sequence)，以选择性地输出一第一存取请求(Access Request)或一第二存取请求。