[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
申请号: | 200810092275.7 | 申请日: | 2008-04-14 |
公开(公告)号: | CN101562185A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 张锡明 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/544;H01L23/522;G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
一基板,具有一显示区以及一周边电路区,其中该周边电路区具有一端子区与位于该端子区与该显示区之间的一额缘区;
多数条电极配线,配置于该显示区内并延伸至该周边电路区中;
多数个接垫,配置于该端子区中,且每一该些电极配线电性连接到对应的每一该些接垫;
一面板测试装置,配置于该额缘区中,且该面板测试装置电性连接该些电极配线,该面板测试装置包括:
一短路杆;
多个开关元件,电性连接该短路杆与该些电极配线,每一该些开关元件包括:
一栅极;
一栅绝缘层,覆盖该栅极;
一半导体层,配置于该栅极上方的该栅绝缘层上;
一源极与一漏极,设置于该半导体层上,该源极与该短路杆电性连接,该漏极与对应的该接垫电性连接;
一图案化保护层,覆盖该源极、该漏极,该图案化保护层具有多个第一开口以及多个第二开口,该些第一开口暴露出该些电极配线的端部,该些第二开口暴露出该些接垫;以及
一图案化导电层,设置于该图案化保护层上,该图案化导电层经由该些第一开口与该些第二开口而电性连接于该些电极配线与该些接垫之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,当该些电极配线为数据配线时,该些数据配线与该短路杆为相同膜层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该短路杆、该源极、该漏极与该些接垫为相同膜层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,当该些电极配线为扫描配线时,该些扫描配线与该短路杆为不同膜层。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该栅绝缘层具有多个第三开口,该些第三开口暴露出该些扫描配线的端部,透过该些第一开口、该些第二开口与该些第三开口,使该图案化导电层电性连接在该些扫描配线与该些接垫之间。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该图案化导电层的材质包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,还包括一像素阵列,配置于该显示区中且与该些电极配线电性连接。
8.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
一基板,具有一显示区以及一周边电路区,其中该周边电路区具有一端子区与位于该端子区与该显示区之间的一额缘区;
多数条电极配线,配置于该显示区内并延伸至该周边电路区中;
多数个接垫,配置于该端子区中,且每一该些电极配线电性连接到对应的每一该些接垫;
一面板测试装置,配置于该额缘区中,且该面板测试装置电性连接该些电极配线,该面板测试装置包括:
一短路杆;
多个开关元件,电性连接该短路杆与该些电极配线,每一该些开关元件包括:
一栅极;
一栅绝缘层,覆盖该短路杆与该栅极,该栅绝缘层具有多个第一开口以及多个第二开口,该些第一开口暴露出部分的该短路杆,该些第二开口暴露出部分的该些电极配线的端部;
一半导体层,配置于该栅极上方的该栅绝缘层上;
一源极与一漏极,设置于该半导体层上,该源极透过该第一开口而与该短路杆电性连接,该漏极与对应的该接垫以及对应的该电极配线电性连接;以及
一图案化保护层,覆盖该源极、该漏极,且暴露出该些接垫。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,当该些电极配线为数据配线时,该些数据配线与该短路杆为不同膜层。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,该些数据配线、该源极、该漏极与该些接垫为相同膜层。
11.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,当该些电极配线为扫描配线时,该些扫描配线与该短路杆为相同膜层。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,利用该漏极透过该第二开口,而电性连接该些扫描配线与该些接垫。
13.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,还包括一像素阵列,配置于该显示区中且与该些电极配线电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的