[发明专利]虚拟接地阵列存储器及其编程方法有效

专利信息
申请号: 200810092322.8 申请日: 2008-04-22
公开(公告)号: CN101377953A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 张钦鸿;何文乔;张坤龙;洪俊雄 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 蒲迈文
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 虚拟 接地 阵列 存储器 及其 编程 方法
【权利要求书】:

1.一种虚拟接地阵列存储器编程方法,该虚拟接地阵列存储器包括一第一单元及一第二单元,该第二单元相邻于该第一单元,该方法包括:

选择该第一单元为一目标单元,其中该第二单元已被编程而具有一数据;

读取该第二单元,并将该数据记录于一寄存器;

编程该目标单元;

对该第二单元进行编程验证的操作;以及

当该第二单元编程验证失败,将记录于该寄存器的该数据写回该第二单元,

其中,该第一单元位于一第一存储单元区块,该第二单元位于一第二存储单元区块。

2.如权利要求1所述的虚拟接地阵列存储器编程方法,其中,该数据对应于一高阈值电压。

3.一种虚拟接地阵列存储器,包括:

一第一存储单元区块,具有一边界单元;

一第二存储单元区块,具有一邻近单元,该邻近单元相邻于该边界单元,且已被编程而具有一数据;以及

一寄存器,用以记录该数据;

其中,于编程该边界单元后,对该邻近单元进行编程验证的操作,当该邻近单元编程验证失败,记录于该寄存器的该数据被写回该邻近单元。

4.如权利要求3所述的虚拟接地阵列存储器,其中,该数据对应于一高阈值电压。

5.如权利要求3所述的虚拟接地阵列存储器,其中,该寄存器为一静态随机存取存储器。

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