[发明专利]虚拟接地阵列存储器及其编程方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种虚拟接地阵列存储器及其编程方法，特别是涉及一种解决阵列效应的虚拟接地阵列存储器及其编程方法。

背景技术

于传统的虚拟接地阵列存储器中，相邻的两个单元可能会因为所处的相位(phase)的不同，而产生阵列效应(Array Effct)，导致阈值电压偏移，造成读取区间的损失甚或读取失败。

请参照图1A，其示出了传统虚拟接地阵列存储器的示意图。虚拟接地阵列存储器100包括第一存储单元区块110及第二存储单元区块120。举第一存储单元区块110中的边界单元111及第二存储单元区块120中的邻近单元121为例做说明。于邻近单元121被编程后，会对邻近单元121进行编程验证的操作以验证邻近单元121的阈值电压是否够高。

请参照图1B，其示出了邻近单元121的阈值电压分布图。当邻近单元121通过编程验证时，则其阈值电压为高阈值电压130。此时，因为从邻近单元121流至边界单元111的漏电流I_leak的存在，感测放大器(未绘示于图)所接收到的感测电流I_sense并不相等于邻近单元121的单元电流I_cell。

如此一来，当边界单元111被编程时，因为边界单元111的阈值电压够高，故漏电流I_leak变小，感测电流I_sense变大，导致邻近单元121被判断为阈值电压不够高的单元，且其阈值电压由高阈值电压130往下位移为高阈值电压131，导致读取区间变小，更严重的可能导致读取失败。

发明内容

本发明是有关于一种虚拟接地阵列存储器及其编程方法，于编程的过程中加入一数据回复算法以解决阵列效应，消除因为阵列效应所产生的读取区间损失。

根据本发明的第一方面，提出一种虚拟接地阵列存储器编程方法，虚拟接地阵列存储器包括一第一单元及一第二单元，第二单元相邻于第一单元。此方法包括，首先，选择第一单元为一目标单元，其中第二单元已被编程而具有一数据。接着，读取第二单元，并将数据记录于一寄存器。然后，编程目标单元。接着，对第二单元进行编程验证的操作。之后，当第二单元编程验证失败，将记录于寄存器的数据写回第二单元。其中，该第一单元位于一第一存储单元区块，该第二单元位于一第二存储单元区块

根据本发明的第二方面，提出一种虚拟接地阵列存储器，包括第一存储单元区块、第二存储单元区块以及寄存器。第一存储单元区块具有一边界单元。第二存储单元区块具有一邻近单元，此邻近单元相邻于边界单元，且已被编程而具有一数据。寄存器用以记录数据。其中，于编程边界单元后，对邻近单元进行编程验证的操作。当邻近单元编程验证失败，记录于寄存器的数据被写回邻近单元。

为使本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并结合附图详细说明如下。

附图说明

图1A示出了传统虚拟接地阵列存储器的示意图。

图1B示出了邻近单元121的阈值电压分布图。

图2示出了依照本发明较佳实施例的虚拟接地阵列存储器编程方法的流程图。

附图符号说明

100：虚拟接地阵列存储器

110：第一存储单元区块

111：边界单元

120：第二存储单元区块

121：邻近单元

具体实施方式

本发明提供一种虚拟接地阵列存储器及其编程方法，利用将一数据回复算法嵌入于编程的流程中，解决于存储单元区块的边界所产生的阵列效应，消除因为阵列效应而导致的存储单元读取区间损失。

请参照图2，其示出了依照本发明较佳实施例的虚拟接地阵列存储器编程方法的流程图。此方法应用于一虚拟接地阵列存储器，此虚拟接地阵列存储器包括一边界单元及一邻近单元，邻近单元相邻于边界单元。边界单元位于第一存储单元区块，邻近单元位于第二存储单元区块，因此两者所处的相位(phase)可能不同。例如，邻近单元已被编程而具有一数据，边界单元正要进行编程的操作。因为两者的相位不同，故可能产生阵列效应。

于本发明中，首先，于步骤210中，选择边界单元为目标单元，此目标单元即为所欲对其进行编程操作的单元。同时，邻近单元因为位于相异的存储单元区块，其已被编程而具有一数据。接着，于目标单元被编程之前，于步骤220中，读取邻近单元，并将邻近单元原先所储存的数据记录于一寄存器内。此寄存器例如为虚拟接地阵列存储器内部的一静态随机存取存储器(SRAM)，但不限制于此。