[发明专利]立式热处理装置以及被处理基板移载方法有效
申请号: | 200810092365.6 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101295628A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 荻原顺一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 以及 处理 基板移载 方法 | ||
1. 一种立式热处理装置,其特征在于,包括:
下部具有炉口的热处理炉;
密闭所述炉口的盖体;
设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持 多个被处理基板的保持件;
使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的 升降机构;
位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收 纳容器;和
移载机构,其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个 移载板,并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板 的移载,其中,
所述保持件的所述支撑板被分割为外侧支撑板和内侧支撑板,所 述外侧支撑板具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿 上下方向通过的切口部,所述内侧支撑板被配置在所述外侧支撑板的 内周缘部上,并且具有封堵所述切口部的封堵部。
2. 如权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于:
所述外侧支撑板的内径和所述内侧支撑板的外径形成为比所述被 处理基板的直径小。
3. 如权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于:
所述移载机构在通过所述内侧支撑板将所述被处理基板支撑在所 述移载板上的状态下进行所述被处理基板的移载。
4. 如权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于:
在所述移载板上表面设置有用于吸引空气的吸引孔,在所述内侧 支撑板上设置有通过由所述移载板的吸引孔吸引空气而将所述被处理 基板吸附在所述内侧支撑板上的吸附部。
5. 如权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于:
所述内侧支撑板具有载置在所述外侧支撑板的所述内周缘部上的 环状部以及与所述环状部形成为一体并且嵌入所述外侧支撑板的所述 切口部的封堵部。
6. 如权利要求1所述的立式热处理装置,其特征在于:
在所述外侧支撑板的所述内周缘部形成有收容所述内侧支撑板的 外周缘部的第一台阶部。
7. 如权利要求6所述的立式热处理装置,其特征在于:
在所述内侧支撑板的所述外周缘部形成有与所述外侧支撑板的所 述第一台阶部结合的第二台阶部。
8. 一种立式热处理装置,其特征在于,包括:
下部具有炉口的热处理炉;
密闭所述炉口的盖体;
设置在所述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持 多个被处理基板的保持件;
使所述盖体升降从而将所述保持件搬入以及搬出所述热处理炉的 升降机构;
位于所述热处理炉的外部、以规定间隔收纳多个被处理基板的收 纳容器;和
移载机构,其具有以规定间隔配置、用于载置被处理基板的多个 移载板,并且在所述收纳容器与所述保持件之间进行所述被处理基板 的移载,其中,
所述保持件的所述支撑板被分割为支撑板主体和封堵板,所述支 撑板主体具有在进行所述被处理基板的移载时所述移载板能够沿上下 方向通过的切口部,所述封堵板用于封堵所述支撑板主体的所述切口 部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造