[发明专利]立式热处理装置以及被处理基板移载方法

说明书

技术领域

本发明涉及立式热处理装置以及被处理基板移载方法，特别涉及 能够相对于具有环状支撑板的支撑件每次多个地移载被处理基板的立 式热处理装置以及被处理基板移载方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，包括对被处理基板(例如半导体晶片) 实施例如氧化、扩散、CVD、退火等各种热处理的工序，作为用于实 施这些工序的热处理装置的一种，使用批量式即一次能够处理多个晶 片的立式热处理装置。

该立式热处理装置包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭该炉口 的盖体；设置在该盖体上、通过环状支撑板在上下方向以规定间隔保 持多个晶片的保持件(也称为“晶舟”)；使上述盖体升降从而将保持 件搬入搬出热处理炉的升降机构；以及移载机构，该移载机构具有一 个移载板(也称为“叉(fork)”)，能够在以规定间隔收纳有多个晶片 的收纳容器(盒体、FOUP(晶圆传送盒、前端开口片盒))与上述保 持件之间进行晶片的移载。上述环状支撑板用作抑制或者防止高温热 处理时在晶片周缘部产生滑移(slip)(结晶缺陷)的策略。

作为上述移载机构，如图10A～图10C所示，使用具有移载用移 载板50和突起用移载板51的突起式移载机构(以下称为“移载机构A”) (例如参照日本特开平5-13547号公报)。移载用移载板50由具有与 晶片w的下面对接的上面的板状体构成，突起用移载板51由具有其上 面与晶片w的下面对接的3个支撑销52的板状体构成。

当向保持件移载晶片时，首先将支撑有晶片w的移载用移载板50 向保持件9内的规定支撑板15的上方插入，并且同时使突起用移载板 51向上述支撑板15的下方插入(图10A)。接着，使突起用移载板51 上升，使晶片w从移载用移载板50上被抬起，在该状态下使移载用移 载板50从保持件9退去(图10B)。接着，使突起用移载板51下降， 将晶片w支撑在支撑板15上，之后，使突起用移载板51从保持件9 退去，由此完成一个晶片的移载作业(图10C)。

其中，作为移载机构，其具有多个卡止部件，与晶片周缘部的下 侧面卡止，使晶片在垂吊状态(上侧固定状态)下被保持，构成为各 卡止部件能够在处于垂吊状态下支撑晶片的晶片支撑位置、和移动至 晶片外形周缘的外侧从而解除晶片的支撑状态的晶片解除位置之间往 复移动，并且构成为各卡止部件能够利用致动器在晶片支撑位置和晶 片解除位置的范围内往返移动(以下，称为“移动机构B”)(日本特 开2003-338531号公报)。

专利文献1：日本特开平5-13547号公报

专利文献2：日本特开2003-338531号公报

然而，在上述现有技术的立式热处理装置中，上述任一个移载机 构A、B均只能逐个地移载晶片，因此存在花费较多移载时间的问题。 此外，在移载机构的构造上，保持件的支撑板间的间距(所谓的移载 间距)必须很大(16mm)，搭载在保持件上的晶片个数(处理个数) 最多为50个左右，批量处理存在界限，难以增加处理个数。特别是， 对于移载机构A的情况，因为晶片的搬送仅为一个并且交接过渡的动 作时间长(不只一个动作)，因此在移载作业中花费较多时间，不能实 现生产率的提高。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种立式热处 理装置以及被处理基板移载方法，能够相对于具有环状支撑板的保持 件每次移载多个被处理基板，实现移载时间的缩短，并增加处理个数 以及提高生生产率。

为了实现上述目的，第一发明提供一种立式热处理装置，其特征 在于，包括：下部具有炉口的热处理炉；密闭上述炉口的盖体；设置 在上述盖体上、通过环状支撑板沿上下方向以规定间隔保持多个被处 理基板的保持件；使上述盖体升降从而将上述保持件搬入以及搬出上 述热处理炉的升降机构；位于上述热处理炉的外部、以规定间隔收纳 多个被处理基板的收纳容器；和移载机构，其具有以规定间隔配置、 用于载置被处理基板的多个移载板，并且在上述收纳容器与上述保持 件之间进行上述被处理基板的移载，其中，上述保持件的上述支撑板 被分割为外侧支撑板和内侧支撑板，上述外侧支撑板具有在进行上述 被处理基板的移载时上述移载板能够沿上下方向通过的切口部，上述 内侧支撑板被配置在上述外侧支撑板的内周缘部上并且具有封堵上述 切口部的封堵部。