[发明专利]图案化金属层及薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种图案化金属层制作方法，其特征在于，所述图案化金属层制作方法包括：

提供一具有一转印牺牲层的一第一基板，所述第一基板对于特定波长的激光具有透光性，所述转印牺牲层对于所述特定波长的激光具有光热转换特性；

形成一金属层于所述转印牺牲层上；

将所述第一基板置于一第二基板上方，以使所述金属层接近或接触所述第二基板；

利用所述特定波长的激光以激光转印方式将所述金属层图案化转印至所述第二基板；

移去所述第一基板；及

移除残留在所述被转印图案化金属层上的所述转印牺牲层。

2.如权利要求1所述的图案化金属层制作方法，其特征在于，所述转印牺牲层包含聚乙烯醇。

3.如权利要求1所述的图案化金属层制作方法，其特征在于，所述激光转印步骤中以计算机控制多道激光光束行进方向，并且所述这些激光光束行进方向依转印在所述第二基板上的所述金属层图案而定。

4.如权利要求1所述的图案化金属层制作方法，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板间设有多个间隔元件。

5.如权利要求1所述的图案化金属层制作方法，其特征在于，所述金属层是以蒸发或溅射方式形成于所述转印牺牲层上。

6.如权利要求2所述的图案化金属层制作方法，其特征在于，是以溶剂除去残留在所述第二基板上的所述转印牺牲层。

7.如权利要求1所述的图案化金属层制作方法，其特征在于，所述第二基板为可挠性基板。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法包括：

提供一具有一转印牺牲层的第一基板，所述第一基板对于特定波长的激光具有透光性，所述转印牺牲层对于所述特定波长的激光具有光热转换特性；

形成一金属层于所述转印牺牲层上；

将所述第一基板置于一第二基板上方，使所述金属层接近或接触所述第二基板；

利用所述特定波长的激光以激光转印方式将所述金属层图案化转印至所述第二基板上，以形成一栅极电极图案于所述第二基板上；

移去所述第一基板；

移除残留在所述栅极电极图案上的所述转印牺牲层；

形成一图案化绝缘层于所述栅极电极图案上，其中部分所述图案化绝缘层供做栅极绝缘层；

重复前述第一至第三步骤，并利用激光转印方式形成一金属导线图案于所述图案化绝缘层上；

移去所述第一基板；

移除残留在所述金属导线图案上的所述转印牺牲层；

形成一图案化半导体主动层于所述图案化绝缘层上，所述图案化半导体主动层对应所述栅极电极图案；

重复前述第一至第三步骤，并利用激光转印方式形成一源极/漏极图案于所述图案化半导体主动层上方；

移去所述第一基板；及

移除残留在所述源极/漏极图案上的所述转印牺牲层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述转印牺牲层包含聚乙烯醇。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述这些激光转印步骤以计算机控制多道激光光束行进方向，并且所述这些激光光束行进方向依序视转印在所述第二基板上的所述栅极电极图案、所述金属导线图案及所述源极/漏极图案而定。

11.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板之间设有多个间隔元件。

12.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属层以蒸发或溅射方式形成于所述转印牺牲层上。

13.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，是以溶剂除去残留在所述第二基板上的所述转印牺牲层。

14.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述图案化半导体主动层包含有机分子材料。

15.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二基板为可挠性基板。