[发明专利]图案化金属层及薄膜晶体管的制作方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种图案化金属层的制作方法；特别是有关于一种以激光转印(laser transfer)技术制作该图案化金属层的制作方法。

背景技术

随着技术的成熟，更轻、更薄、可携带、可挠曲的显示器如电子纸张已经吸引众多人的注意，许多大公司也纷纷加入研发行列。有机薄膜晶体管是利用有机分子材料以开发适合应用于电子产品的薄膜晶体管，其最大优点在于元件可以在低温下制作，并且在面板弯曲时晶体管元件特性仍能维持，达到正常的显像品质效果，这种应用将可加速可挠式电子产品如显示器的实现。目前上接触式有机薄膜晶体管元件的电极图案化都是使用金属遮罩(shadowmask)蒸发工艺，易有金属遮罩制作成本高与工艺成本高的问题。再者，随着电子元件不断微小化的过程，传统利用金属遮罩(shadow mask)制作薄膜晶体管中金属电极亦面临技术的挑战。激光转印(laser transfer)技术的优点在于其工艺简单，不需要金属遮罩，而可直接转印图案化金属层。再者，激光转印工艺成本低且可大面积制作转印图案层。因此，如何将激光转印技术应用在各种电子元件的图案化金属层制作，为现今一大需求。

发明内容

本发明提供一种图案化金属层制作方法，是利用激光转印技术在一基板上形成预定图案的金属层，并且在被转印金属层与其支撑基板之间加入一层具光热转换特性的转印牺牲层，通过该转印牺牲层吸收激光，进行光热转换，脱离该支撑基板，而将该金属层转印至该基板，进而防止被转印金属层因吸光受热而氧化。

本发明提供一种图案化金属层制作方法，适合用于制作薄膜晶体管的栅极、源极/漏极或导线或发光二极管元件的金属电极。

本发明提供的一种图案化金属层制作方法，包括提供一具有一转印牺牲层的一第一基板，该转印牺牲层具有光热转换特性；形成一金属层于该转印牺牲层上；将该第一基板置于一第二基板上方，以使该金属层接近或接触该第二基板；利用激光转印方式将该金属层图案化转印至该第二基板；移去该第一基板；及移除残留在该被转印金属层图案上的该转印牺牲层。

本发明前述图案化金属层制作方法不需要真空工艺或设备，可以使工艺简单化，并且未被转印的金属层可再使用，以降低工艺材料成本。

本发明另提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括提供一具有一转印牺牲层的第一基板，该转印牺牲层具有光热转换特性；形成一金属层于该转印牺牲层上；将该第一基板置于一第二基板上方，使该金属层接近或接触该第二基板；利用激光转印方式将该金属层图案化转印至该第二基板上，以形成一栅极电极图案于该第二基板上；移去该第一基板；移除残留在该栅极电极图案上的该转印牺牲层；形成一图案化绝缘层于该栅极电极图案上，其中部分该图案化绝缘层供做栅极绝缘层；重复前述第一至第三步骤，并利用激光转印方式形成一金属导线图案于该图案化绝缘层上；移去该第一基板；移除残留在该金属导线图案上的该转印牺牲层；形成一图案化半导体主动层于该图案化绝缘层上，该图案化半导体主动层对应该栅极电极图案；重复前述第一至第三步骤，并利用激光转印方式形成一源极/漏极图案于该图案化半导体主动层上方；移去该第一基板；及移除残留在该源极/漏极图案上的该转印牺牲层。

本发明提供的该薄膜晶体管的制作方法是利用激光转印技术单一工艺，制作薄膜晶体管中金属栅极、漏极/源极及导线，除了可以将工艺简单化，降低元件制作成本外，亦可以应用于元件的集成化及大面积化。

附图说明

图1是本发明图案化金属层制作方法流程图；及

图2A至图2L是本发明薄膜晶体管的制作方法各步骤对应的截面结构示意图。

附图标号：

20----支撑基板

22----转印牺牲层

4----金属层

24a----栅极电极图案

24b----金属导线图案

24c----源极/漏极图案

6----激光光束

200----第二基板

201----图案化绝缘层

202----图案化半导体主动层

具体实施方式