[发明专利]导电结构、包括导电结构的非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件内的导电结构，包括：

集成电路衬底；

所述衬底上的第一导电层图案；以及

所述衬底上的第二导电层图案，该第二导电层图案在各个所述第 一导电层图案之间延伸，其中相邻的第一和第二导电层图案相对于所 述衬底位于不同的水平面上，以减小它们之间的寄生电容。

2.根据权利要求1所述的导电结构，还包括：

所述衬底上的第一层间绝缘层，其中所述第一导电层图案在该第 一层间绝缘层上；以及

覆盖所述第一导电层图案的绝缘构件，该绝缘构件在所述第一导 电层图案之间限定凹口并且其中所述第二导电层图案位于该凹口内， 以及其中所述第二导电层图案具有比所述第一导电层图案的下表面高 的下表面，以提供所述不同的水平面。

3.根据权利要求2所述的导电结构，其中所述绝缘构件包括氮氧 化硅、氮化硅和/或氧化硅。

4.根据权利要求2所述的导电结构，还包括与所述第一导电层图 案的侧壁接触的间隙壁，该间隙壁具有比所述第一导电层图案的上表 面高的上表面。

5.根据权利要求2所述的导电结构，其中所述第一导电层图案和 所述第二导电层图案具有上宽度和下宽度，其中所述下宽度比所述上 宽度窄。

6.根据权利要求2所述的导电结构，其中存储器件的单位单元内 的底层结构在所述导电层图案下面的所述衬底上。

7.根据权利要求6所述的导电结构，其中所述底层结构包括隧道 氧化物层、电荷存储图案、介质层和控制栅。

8.根据权利要求2所述的导电结构，还包括在所述第一层间绝缘 层上的刻蚀停止层图案。

9.根据权利要求2所述的导电结构，其中所述绝缘构件包括：

所述第一导电层图案的上表面上的第一绝缘层图案；以及

所述第一绝缘层图案上并在相邻的所述第一导电层图案之间延伸 以在其间限定所述凹口的第二绝缘层。

10.一种包括权利要求2所述的导电结构的非易失性存储器件， 并且还包括：

所述衬底内的第一区和第二区，其中所述第一层间绝缘层和所述 绝缘构件在所述衬底的所述第一区和所述第二区上，以及所述第一和 第二导电层图案在所述衬底的所述第一区内；

所述衬底的所述第一区上的单位单元，该单位单元包括具有隧道 氧化物层、电荷存储图案、介质层和控制栅的关联栅结构；

第二层间绝缘层，该第二层间绝缘层在所述第一区内的所述第二 导电层图案和所述第二区内的所述绝缘构件上；

延伸穿过所述第二层间绝缘层、所述绝缘构件、所述第一导电层 图案和所述第一层间绝缘层以接触所述衬底的第一接触插塞，该第一 接触插塞电连接到所述第一导电层图案；以及

延伸穿过所述第二层间绝缘层、所述绝缘构件、所述第二导电层 图案和所述第一层间绝缘层以接触所述衬底的第二接触插塞，该第二 接触插塞电连接到所述第二导电层图案。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括所述第二 区内的所述第一层间绝缘层上的第一虚设图案和第二虚设图案。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，其中所述绝缘构 件包括：

所述第一导电层图案上表面上的第一绝缘层图案；以及

所述第一绝缘层图案上并在相邻的所述第一导电层图案之间延伸 以在其间限定所述凹口的第二绝缘层，其中所述第一绝缘层图案不在 第二区内，且所述第二绝缘层延伸入所述第二区。