[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810092998.7 | 申请日: | 2008-04-22 |
公开(公告)号: | CN101261997A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 方国龙;杨智钧;林汉涂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;
下电极层,设置于该基板上,并且具有第一锥状边缘、第二锥状边缘及顶面;
绝缘层,覆盖该基板及该下电极层;
中间层,设置于该基板上,并具有第一部分及第二部分,该第一部分对应于该第一锥状边缘设置,该第二部分对应于该第二锥状边缘设置,该第一部分及该第二部分分别从该第一锥状边缘及该第二锥状边缘延伸至该顶面,以定义出区域的该绝缘层;
有机层,设置于该绝缘层上;以及
上电极层,接触到该有机层及该区域的该绝缘层。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中该区域的该绝缘层,位于该第一部分及该第二部分之间。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中该有机层与该中间层部分重叠。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中该上电极层接触到该中间层。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中该下电极层为不透光材料层。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中该第一锥状边缘对应于该第二锥状边缘。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中该绝缘层设置于该下电极层及该中间层之间。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中该绝缘层设置于该中间层及该上电极层之间。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中该绝缘层为无机材料层。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中该绝缘层具有接触窗,且该上电极层经由该接触窗接触到该中间层。
11.如权利要求1所述的显示装置,其中该中间层为不透光材料层。
12.如权利要求1所述的显示装置,其中该中间层为导电材料层,该上电极层电性连接于该中间层。
13.如权利要求1所述的显示装置,其中该第一部分连接于该第二部分。
14.如权利要求1所述的显示装置,其中该上电极层为透明材料层。
15.如权利要求1所述的显示装置,还包括:
栅极线,设置于该基板上,且平行于该下电极层。
16.如权利要求15所述的显示装置,还包括:
数据线,设置于该基板上,并与该下电极层相交。
17.如权利要求15所述的显示装置,其中该下电极层电性连接于该栅极线。
18.如权利要求1所述的显示装置,还包括:
共同电极,电性连接于该下电极层。
19.一种显示装置的制造方法,包括以下步骤:
提供基板;
形成下电极层于该基板上,该下电极层具有第一锥状边缘、第二锥状边缘及顶面;
形成绝缘层覆盖该基板及该下电极层;
形成中间层于该基板上,该中间层具有第一部分及第二部分,该第一部分形成于对应该第一锥状边缘处,该第二部分形成于对应该第二锥状边缘处,该第一部分及该第二部分分别从该第一锥状边缘及该第二锥状边缘延伸至该顶面,以定义出区域的该绝缘层;
形成有机层于该绝缘层上;以及
形成上电极层,接触该有机层及该区域的该绝缘层。
20.如权利要求19所述的制造方法,其中在形成该有机层的步骤中,该有机层具有半高区,实质上位于该区域的该绝缘层上。
21.如权利要求20所述的制造方法,还包括以下步骤:
灰化该半高区的该有机层。
22.如权利要求21所述的制造方法,还包括以下步骤:
除去该半高区的该有机层,以暴露出一部分的该中间层。
23.如权利要求22所述的制造方法,其中在形成该上电极层的步骤中,该上电极层接触暴露的该中间层。
24.如权利要求19所述的制造方法,还包括以下步骤:
蚀刻该绝缘层以形成接触窗,该接触窗暴露出部分的该中间层。
25.如权利要求24所述的制造方法,其中在形成该上电极层的步骤中,该上电极层经由该接触窗接触该中间层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的