[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810092998.7 | 申请日: | 2008-04-22 |
公开(公告)号: | CN101261997A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 方国龙;杨智钧;林汉涂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,且特别涉及一种具有高开口率的显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来随着薄型化显示技术的进步,各种薄型化显示装置挟其体积小、重量轻、低辐射及低耗电等特点,逐渐成为消费者选购显示器或电视时的首选。在各种薄型化显示装置中,由于液晶显示装置的价格相对低廉,并且市面上可见的尺寸齐全,使得液晶显示装置成为最受市场瞩目的薄型化显示装置之一。然而,随着液晶显示装置在市场上的接受度大增,消费者对于液晶显示装置的画面品质也有日益严苛的要求。
为了进一步提升显示装置的显示亮度,业界已发展出一种超高开口率(Ultra-High Aperture;UHA)的液晶显示面板,通过设置有机层于薄膜晶体管基板的结构中,增加像素电极与数据线于基板上的垂直距离。如此可增加像素电极的面积,进而提高开口率,以提升显示亮度。请参照图1,其示出传统应用超高开口率技术的显示装置的示意图。显示装置100包括基板110、下电极层130、第一绝缘层150、第二绝缘层160、有机层180以及上电极层190。第一绝缘层150为栅极绝缘层(Gate Insulator),第二绝缘层160为保护层,或称作钝化层(Passivation Layer),下电极层130具有斜向侧壁130a。有机层180在对应下电极层130之处具有开口,上电极层190经由开口接触到第二绝缘层160。上电极层190一般利用铟锡氧化物形成,上电极层190与下电极层130之间形成金属-绝缘体-氧化铟锡(Metal-Insulator-ITO;MII)式储存电容。
然而,由于受到工艺中各种变动因素的影响,在进行有机层180的灰化(Ashing)步骤时,并无法精确地控制开口的临界尺寸(Critical Dimension)C,且无法有效地控制有机层180在开口的斜边180a的角度。当斜边180a的角度过小,导致斜边180a在基板110方向凸出于下电极层130之外时,会使得光线穿透通过斜边180a,导致显示装置100在下电极层130的边缘处发生漏光的现象。如此一来,将会降低显示对比度,影响显示装置100的显示品质。另外,对应于斜边180a的上电极层190与下电极层130的斜向侧壁130a之间,会产生非预期的电容效应,以致于对原先设计的储存电容造成影响,降低了储存电容的品质。
发明内容
本发明提供一种显示装置及其制造方法,其利用增设中间层于上电极层与下电极层之间的方式,避免因有机层的工艺变异因素所导致的漏光现象,并且改善有机层灰化时造成储存电容临界尺寸变化的问题,进一步提升显示装置的显示品质。
本发明提出一种显示装置,包括基板、下电极层、绝缘层、中间层、有机层以及上电极层。下电极层设置于基板上,并且具有第一锥状边缘、第二锥状边缘及顶面。绝缘层覆盖基板及下电极层。中间层设置于基板上,并具有第一部分及第二部分,第一部分对应于第一锥状边缘设置,第二部分对应于第二锥状边缘设置。第一部分及第二部分分别从第一锥状边缘及第二锥状边缘延伸至顶面,以定义出区域的绝缘层。有机层设置于绝缘层上。上电极层接触到有机层及此区域的绝缘层。
上述显示装置中,该区域的该绝缘层可位于该第一部分及该第二部分之间。
上述显示装置中,该有机层可与该中间层部分重叠。
上述显示装置中,该上电极层可接触到该中间层。
上述显示装置中,该下电极层可为不透光材料层。
上述显示装置中,该第一锥状边缘可对应于该第二锥状边缘。
上述显示装置中,该绝缘层可设置于该下电极层及该中间层之间。
上述显示装置中,该绝缘层可设置于该中间层及该上电极层之间。
上述显示装置中,该绝缘层可为无机材料层。
上述显示装置中,该绝缘层可具有接触窗,且该上电极层经由该接触窗接触到该中间层。
上述显示装置中,该中间层可为不透光材料层。
上述显示装置中,该中间层可为导电材料层,该上电极层电性连接于该中间层。
上述显示装置中,该第一部分可连接于该第二部分。
上述显示装置中,该上电极层可为透明材料层。
上述显示装置还可包括:栅极线,设置于该基板上,且平行于该下电极层。
上述显示装置还可包括:数据线,设置于该基板上,并与该下电极层相交。
上述显示装置中,该下电极层可电性连接于该栅极线。
上述显示装置还可包括:共同电极,电性连接于该下电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的