[发明专利]制造具有自对准电极的半导体存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的方法，包括：

在衬底上形成具有多个接触孔的层间绝缘层；

形成多个相变图形，其中该多个相变图形的每个相变图形部分地填充所述多个接触孔的相应一个接触孔；以及

在所述层间绝缘层上方形成位线，该位线包括相对于所述相变图形自对准并接触所述相变图形的位延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述相变图形包括：

形成填充所述接触孔的相变材料层；以及

回蚀所述相变材料层，使得所述相变图形的上表面低于所述层间绝缘层的上表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相变图形包括从Te、Se、Ge、Sb、Bi、Pb、Sn、Ag、As、S、Si、P、O和C选择的至少两种化合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述位线包括：

形成覆盖所述相变图形、所述接触孔的侧壁以及所述层间绝缘层的位阻挡金属层；

在所述位阻挡金属层上形成完全填充所述接触孔并覆盖所述层间绝缘层的位导电层，其中，所述相变图形上方的所述位导电层的部分厚于在所述层间绝缘层上方的所述位导电层的部分；以及

部分地去除所述位导电层和所述位阻挡金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述相变图形之前，刻蚀暴露于所述接触孔的部分所述层间绝缘层，以形成扩展接触孔，以及在所述扩展接触孔的侧壁上形成遮盖图形。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在形成所述遮盖图形之前，在所述扩展接触孔中形成中间层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述中间层包括TiO、ZrO、导电碳族材料或其组合物。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述相变图形之前，在所述接触孔中形成下电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述下电极包括：

形成覆盖所述接触孔的侧壁和底部的下导电层；

在所述下导电层上形成填充所述接触孔的核心层；以及

回蚀所述下导电层和所述核心层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述核心层包括具有高于所述下导电层的电阻的材料。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在形成所述下电极之前，在所述接触孔的所述侧壁上形成接触隔片。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述衬底上形成字线；

在所述字线上的所述接触孔中形成二极管；以及

在所述二极管上形成所述下电极。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述二极管上形成二极管电极；以及

在所述二极管电极上形成所述下电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述二极管电极包括Ti、TiSi、TiN、TiON、TiW、TiAlN、TiAlON、TiSiN、TiBN、W、WN、WON、WSiN、WBN、WCN、Si、Ta、TaSi、TaN、TaON、TaAlN、TaSiN、TaCN、Mo、MoN、MoSiN、MoAlN、NbN、ZrSiN、ZrAlN、Ru、CoSi、NiSi、导电碳材料、Cu或其组合物。

15.一种制造半导体存储器件的方法，包括：

在衬底上形成具有中间接触孔的中间绝缘层；

在所述中间接触孔中形成下电极；

形成覆盖所述下电极和所述中间绝缘层的上绝缘层；

在所述下电极上形成穿过所述上绝缘层的上接触孔；

形成部分地填充所述上接触孔的相变图形；以及

在所述上绝缘层上方形成位线，该位线包括相对于所述相变图形自对准并接触所述相变图形的位延伸。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述下电极包括：

形成覆盖所述中间接触孔的侧壁和底部以及所述中间绝缘层的下导电层；

在所述下导电层上形成核心层；以及

平整所述下导电层和所述核心层。