[发明专利]贴合基板的制造方法

权利要求书

1.一种贴合基板的制造方法，是在绝缘性基板的表面上形成硅薄膜， 并使上述绝缘性基板的背面粗糙化的制造贴合基板的方法，其特征在于，其 至少先准备好在上述绝缘性基板的表面上形成有硅薄膜的贴合基板，在该贴 合基板的至少硅薄膜上形成有机膜，然后对上述绝缘性基板的背面施以喷砂 处理后，以含氢氟酸的溶液处理上述贴合基板，再除去上述有机膜。

2.一种贴合基板的制造方法，是在绝缘性基板的表面上形成硅薄膜， 并使上述绝缘性基板的背面粗糙化的制造贴合基板的方法，其特征在于，其 至少先准备好在上述绝缘性基板的表面上形成有硅薄膜的贴合基板，在该贴 合基板的至少硅薄膜上形成有机膜，并在该有机膜上贴上保护胶带，然后对 上述绝缘性基板的背面施以喷砂处理后，将上述保护胶带剥离，并以含氢氟 酸的溶液处理上述贴合基板，再除去上述有机膜。

3.如权利要求2所述的贴合基板的制造方法，其中，将上述保护胶带 设为切割胶带。

4.如权利要求1～3中任一项所述的贴合基板的制造方法，其中，上述 绝缘性基板为石英基板、玻璃基板、蓝宝石基板、或氧化铝基板中的任一种。

5.如权利要求1或2所述的贴合基板的制造方法，其中上述有机膜通过 涂布而形成。

6.如权利要求4所述的贴合基板的制造方法，其中，上述有机膜通过涂 布而形成。

7.如权利要求1或2所述的贴合基板的制造方法，其中，将上述有机膜 设为光阻膜。

8.如权利要求6所述的贴合基板的制造方法，其中，将上述有机膜设为 光阻膜。

9.如权利要求1或2所述的贴合基板的制造方法，其中，上述有机膜的 除去，是通过臭氧水、硫酸、热硫酸、硫酸-过氧化氢混合液、醇类、丙酮中 的任一种加以处理来进行，或是通过氧等离子体处理或紫外线处理来进行。

10.如权利要求8所述的贴合基板的制造方法，其中，上述有机膜的除 去，是通过臭氧水、硫酸、热硫酸、硫酸-过氧化氢混合液、醇类、丙酮中的 任一种加以处理来进行，或是通过氧等离子体处理或紫外线处理来进行。

11.如权利要求1或2所述的贴合基板的制造方法，其中，上述贴合基 板的准备，至少包括下述步骤：

对硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅基板，自表面注入氢离子或稀有 气体离子或者此二者而形成离子注入层；

将上述硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅基板的离子注入面与要和 该离子注入面贴合的上述绝缘性基板的表面密接而贴合；

以上述离子注入层为边界，将上述硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅 基板，机械性地剥离而薄膜化，而在上述绝缘性基板的表面上形成硅薄膜。

12.如权利要求10所述的贴合基板的制造方法，其中，上述贴合基板的 准备，至少包括下述步骤：

对硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅基板，自表面注入氢离子或稀有 气体离子或者此二者而形成离子注入层；

将上述硅基板或在其表面形成有氧化膜之硅基板的离子注入面与要和 该离子注入面贴合的上述绝缘性基板的表面密接而贴合；

以上述离子注入层为边界，将上述硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅 基板，机械性地剥离而薄膜化，而在上述绝缘性基板的表面上形成硅薄膜。

13.如权利要求1或2所述的贴合基板的制造方法，其中，上述贴合基 板的准备，至少包括下述步骤：

对硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅基板，自表面注入氢离子或稀有 气体离子或者此二者而形成离子注入层；

对上述硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅基板的离子注入面、以及要 和该离子注入面贴合的上述绝缘性基板的表面的至少其中一个表面，施以表 面活化处理；

将上述硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅基板的离子注入面与上述 绝缘性基板的表面密接而贴合；

以上述离子注入层为边界，将上述硅基板或在其表面形成有氧化膜的硅 基板，机械性地剥离而薄膜化，而在上述绝缘性基板的表面上形成硅薄膜。