[发明专利]贴合基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种贴合基板的制造方法，特别是涉及一种于绝缘性基板的 表面上形成有硅薄膜的贴合基板的制造方法。

背景技术

为了谋求半导体器件更进一步的高性能化，绝缘层上覆硅(SOI(Silicon on insulator))基板近年受到注目。而且，支持基板(支撑片(handle wafer))并 不是硅的石英上硅(SOQ(Silicon on quartz))基板与玻璃上硅(SOG(Silicon on glass))基板等，也被期待应用于TFT-LCD或高频(RF)器件、其它微机 电系统(MEMS)制品等。

上述SOQ基板等，提出一种制造方法，是例如将硅基板作为施主晶片 (donor wafer)、将石英基板作为支撑片，并将这些异种基板贴合而制造(参 照日本专利特开2006-324530号公报)。于如此制作出来的贴合基板中，石 英基板通常是以表面及背面同时进行研磨处理的双面抛光来制作，因此背面 也为镜面，与将硅基板彼此之间贴合而制造的通常的SOI基板不同，而会具 有工序、评价上产生问题的情形。

作为这样的问题之一，可举出如：在装置上搬运及固定SOQ基板时， 晶片密接于平台而难以自平台取出；更由于是透明基板，表面和背面的识别 困难，而会诱发处理中的操作失误。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而开发出来的，其目的是提供一种贴合基板的制 造方法，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基 板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出；进 而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种制造贴合晶片 的方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。

为了解决上述课题，本发明提供一种贴合基板的制造方法，是将绝缘性 基板用于支撑片，并在该绝缘性基板的表面上，贴合施主晶片的制造贴合基 板的方法，其至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂(sandblast)处理。

如此，在将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施 主晶片的制造贴合基板的方法中，通过对绝缘性基板的背面施以喷砂处理， 可将绝缘性基板的背面粗糙化，通过粗面化而容易搬运及在载置后取出，例 如，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，则其表面的识别 更与硅半导体晶片的工序同样简便。

而且，本发明提供一种贴合基板的制造方法，是将绝缘性基板用于支撑 片，并在该绝缘性基板的表面上，贴合施主晶片的制造贴合基板的方法，其 至少在准备于上述绝缘性基板的表面上形成有硅薄膜的贴合基板后，对该贴 合基板的背面，施以喷砂处理。

如此，则通过粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于以透明绝缘 性基板作为支撑片的该贴合基板，则其表面的识别更与硅半导体晶片的工序 同样简便。

而且，本发明提供一种贴合基板的制造方法，是在绝缘性基板的表面上 形成硅薄膜，并使上述绝缘性基板的背面粗糙化的制造贴合基板的方法，其 至少先准备于上述绝缘性基板的表面上形成有硅薄膜的贴合基板，将保护胶 带贴在该贴合基板的至少硅薄膜上，然后对上述绝缘性基板的背面，施以喷 砂处理。

如此，由于包含至少于贴合基板的硅薄膜上贴保护胶带之后，对绝缘性 基板的背面施以喷砂处理的技术特征，因此通过粗面化而容易搬运及在载置 后取出；进而对于以透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，其表面的识 别更与硅半导体晶片的工序同样简便，同时通过保护胶带则可使硅薄膜的表 面不受到喷砂处理的影响。

此时，对上述绝缘性基板的背面施以喷砂处理之后，可将上述保护胶带 剥离，并以含氢氟酸的溶液，处理上述贴合基板。

喷砂处理后，因为将前述保护胶带剥离，并以含氢氟酸的溶液处理贴合 基板，而可有效地抑制来自施以喷砂处理的背面凹凸处的灰尘。因此，可抑 制微粒污染的发生。

而且，本发明提供一种贴合基板的制造方法，是在绝缘性基板的表面上 形成硅薄膜，并使上述绝缘性基板的背面粗糙化的制造贴合基板的方法，其 至少先准备于上述绝缘性基板的表面上形成有硅薄膜的贴合基板，在该贴合 基板的至少硅薄膜上形成有机膜，然后对上述绝缘性基板的背面施以喷砂处 理后，以含氢氟酸的溶液处理上述贴合基板，再除去上述有机膜。