[发明专利]粘性晶粒由晶圆分离的形成方法无效
| 申请号： | 200810093403.X | 申请日： | 2008-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101567301A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘俊贤;张家彰 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/78;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张颖玲;刘淑敏 |
| 地址： | 台湾省新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粘性 晶粒 分离 形成 方法 | ||
1.一种粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，主要包含以下步骤：
提供晶圆，该晶圆包含两个或两个以上一体未分离的晶粒；
在所述晶粒之间形成切割空隙；
转印粘着层于该晶圆，其中该粘着层形成在可扩张膜上；
形成预裂导槽于该粘着层，该预裂导槽对准于该切割空隙并且不贯穿该粘着层；
拉伸该可扩张膜，以使该粘着层沿着该预裂导槽的纹路予以分裂；以及
由该可扩张膜取出贴附有已分裂粘着层的所述晶粒。
2.如权利要求1所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述晶圆具有集成电路形成表面以及背面，该晶圆还具有两个或两个以上位于该集成电路形成表面的焊垫。
3.如权利要求2所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述粘着层转印于该晶圆的背面。
4.如权利要求1所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述在晶粒之间形成该切割空隙的步骤包含晶圆半切割的步骤。
5.如权利要求4所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述晶圆半切割步骤中形成的切割空隙具有小于该晶圆的厚度的切割深度，并另包含晶背研磨步骤，以使所述晶粒分离。
6.如权利要求5所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，在所述晶背研磨步骤之前，贴附晶背研磨胶带于该晶圆并遮覆该切割空隙。
7.如权利要求6所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述晶背研磨胶带在该粘着层的转印步骤之后予以移除。
8.如权利要求1所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，在拉伸该可扩张膜之后，另包含的步骤为：丧失或减少该可扩张膜对该粘着层的粘性，取出所述晶粒。
9.如权利要求8所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述丧失或减少该可扩张膜的粘性的方法包含紫外光照射。
10.如权利要求1所述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，其特征在于，所述预裂导槽具有U形截面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
