[发明专利]粘性晶粒由晶圆分离的形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体装置的制造技术，特别有关于一种粘性晶粒由晶圆分离的形成方法。

背景技术

当晶圆(wafer)经历了数十道甚至是更多的半导体工艺，才可制作出两个或两个以上呈阵列排列的集成电路或微型机电系统(MEMS)结构后，即会利用切割工艺将晶圆切割出两个或两个以上晶粒(die)，以便进行后续的半导体封装工艺与组装工艺。然而传统的晶粒的表面不具有粘性，需在基板上另涂施粘晶材料。需要发展一种粘性晶粒的形成技术，以控制粘晶特性、用量并使后续半导体封装/组装工艺更加有效率。

请参考图1所示，为公知粘性晶粒由晶圆分离的形成过程中的局部元件截面图。如图1中的A图所示，提供欲进行切割工艺的晶圆110，该晶圆110包含两个或两个以上一体未分离的晶粒111。此外，该晶圆110可具有集成电路形成表面112以及背面113，该晶圆110还具有两个或两个以上位于该集成电路形成表面112的焊垫114(如图2所示)。接着，如图1中的B图所示，在该晶圆110的该集成电路形成表面112贴附晶背研磨胶带120，借此覆盖及保护该晶圆110的集成电路形成表面112。之后，如图1中的C图所示，研磨该晶圆110的该背面113，让该晶圆110的厚度减少至预定的厚度。之后，如图1中的D图所示，在该晶圆110的该背面113贴附具有粘着层130的载膜140。之后，如图1中的D图所示，再以剥离治具(图中未示出)依箭头方向使原先粘贴在该集成电路形成表面112的该晶背研磨胶带120被分离，而显露出该集成电路形成表面112(如图1中的E图所示)。之后，如图1中的F图所示，利用晶圆切割机台(图中未示出)进行该晶圆110的对位，并利用切割刀具(例如金刚石划片器)依照预先设定好的切割道(scribe line)，将该晶圆110切割成两个或两个以上分离的晶粒111，除了切穿该粘着层130，还会些许切入该载膜140。最后，如图1中的G图所示，再以真空吸嘴(图中未示出)进行后续的晶粒捡拾工艺。

请参考图1中的F图及图2所示，在上述的切割步骤中，当利用切割刀具160由上往下切割该晶圆110及该粘着层130至该载膜140时，该粘着层130会产生向下弯曲的毛边131(如图2所示)，而使该粘着层130形成不平整的粘晶表面，会导致后续该粘着层130粘贴至另一芯片或基板产生贴附倾斜与粘晶余隙的问题。该粘着层130无法与被贴附的芯片(或基板)产生良好的粘合面积，导致易于分层，故影响半导体封装/组装品质。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，避免在粘着层的边缘产生突出粘晶面的切割毛边，进而解决公知切割毛边引起粘晶贴附倾斜与余隙的问题。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明所揭示的一种粘性晶粒由晶圆分离的形成方法，主要包含以下步骤。首先，提供晶圆，该晶圆包含两个或两个以上一体未分离的晶粒。接着，在这些晶粒之间形成切割空隙。之后，转印粘着层于该晶圆上，其中该粘着层形成在可扩张膜上。之后，形成预裂导槽于该粘着层，该预裂导槽对准于该切割空隙并且不贯穿该粘着层。之后，拉伸该可扩张膜，以使该粘着层沿着该预裂导槽的纹路予以分裂。最后，由该可扩张膜取出这些贴附有已分裂粘着层的晶粒。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，该晶圆可具有集成电路形成表面以及背面，该晶圆还具有两个或两个以上位于该集成电路形成表面的焊垫。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，该粘着层可转印于该晶圆的该集成电路形成表面。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，该粘着层可转印于该晶圆的该背面。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，在这些晶粒之间形成该切割空隙的步骤包含晶圆半切割的步骤。

在前述的黏性晶粒由晶圆分离的形成方法中，该晶圆半切割步骤中形成的切割空隙可具有小于该晶圆的厚度的切割深度，并另包含晶背研磨步骤，以使这些晶粒分离。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，在该晶背研磨步骤之前，可贴附晶背研磨胶带于该晶圆并遮覆该切割空隙。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，该晶背研磨胶带可在该粘着层的转印步骤之后予以移除。

在前述的粘性晶粒由晶圆分离的形成方法中，该切割空隙与该预裂导槽可由同一步骤中的切割刀具所形成。