[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体衬底；

一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；

一第一硅锗区，包括一水平部和一位于该水平部上的延伸区，位于该半导体衬底中且相邻该栅极堆叠层，其中该延伸区直接位于一栅极间隔层之下，且其中该栅极间隔层位于该栅极堆叠层的一侧壁上，该第一硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；

一硅化区，位于该第一硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比低于该第一原子百分比；以及

一第二硅锗区，该第二硅锗区位于该硅化区和该第一硅锗区之间，其中该第二硅锗区具有一第三原子百分比，该第三原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且该第三原子百分比低于该第一原子百分比。

2.如权利要求1所述的半导体结构，且其中该第二原子百分比低于该第一原子百分比5个原子百分比。

3.如权利要求1所述的半导体结构，且其中该第二原子百分比接近0％。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该延伸区与该第二硅锗区和该硅化区的内缘相邻。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二硅锗区和该第一硅锗区的该延伸区具有一界面，该界面直接位于一栅极间隔层之下。

6.一种半导体结构，包括：

一半导体衬底；

一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；

一栅极间隔层，位于该栅极堆叠层的一侧壁上；

一硅锗区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该硅锗区包括：

一第一区域，包括一水平部和一位于该水平部上的延伸区，其中该第一区域具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指在硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该延伸区是直接位于该栅极间隔层之下；以及

一第二区域，位于该第一区域的水平部上，其中该第二区域具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指在硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比低于该第一原子百分比；以及

一硅化区，位于该第二区域上，其中该硅化区具有一第三原子百分比，该第三原子百分比是指在硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第三原子百分比等于该第二原子百分比。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第三原子百分比为0％。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一原子百分比介于10％和30％之间。

9.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第二原子百分比和该第一原子百分比相差超过5个原子百分比。

10.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第二区域的厚度小于

11.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第二区域的厚度小于

12.一种半导体结构，包括：

一半导体衬底；

一“P”型金属氧化物半导体装置，位于该半导体衬底的一表面上；

一“N”型金属氧化物半导体装置，位于该半导体衬底的该表面上，其中该“P”型金属氧化物半导体装置和该“N”型金属氧化物半导体装置各自包括：

一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；

一第一硅锗区，包括一水平部和一位于该水平部上的延伸区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该延伸区位于一栅极间隔层之下，且其中该栅极间隔层位于该栅极堆叠层的一侧壁上，该第一硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指在硅和锗中的锗所占的原子百分比；

一第二硅锗区，位于该第一硅锗区上，其中该第二硅锗区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指在硅和锗中的锗所占的原子百分比，且该第二原子百分比低于该第一原子百分比；以及

一硅化区，位于该第二硅锗区域上，其中该硅化区具有一第三原子百分比，该第三原子百分比是指在硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第三原子百分比低于该第一原子百分比。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中该第二原子百分比和该第一原子百分比相差超过5个原子百分比。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其中该第二硅锗区和该延伸区具有一界面，该界面对准该栅极间隔层的一外缘。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其中该延伸区具有两个外缘，且该两外缘位于栅极间隔层之下。