[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810093815.3 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101567359A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 薛光博;吴国宏 | 申请（专利权）人： | 原景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省台南县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一半导体装置，其特征在于，包含：
一第一金属区域，以传导源/漏极电流；
多个过孔，位于该第一金属区域上；
多个第二金属区域，通过所述过孔电性连接该第一金属区域以传导源/ 漏极电流，其中所述第二金属区域之间存在一间距，各个第二金属区域包含：
一第一区块；以及
至少一第二区块，自该第一区块延伸并与部分该第一金属区域重叠， 以涵盖所述过孔，其中源/漏极电流是由该第一金属区域经由所述过孔传导至 该第二区块；
多个开口，位于所述第二金属区域上；以及
一第三金属区域，通过所述开口电性连接所述第二金属区域，其中该第 三金属区域的电阻值小于该第二金属区域的电阻值以及该第一金属区域的电 阻值，该第三金属区域包含多个第三区块，各个第三区块横跨所述第二金属 区域的所述第二区块，所述第三区块之间则存在一间隔距离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一区块以及该 第二区块呈条状。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一区块以及该 第二区块呈椭圆状。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二金属区域的 材料为铝、铂或锡。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第三金属区域的 材料为金属。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属区域包 含多个第四区块，所述第四区块之间存在一间隔距离，所述过孔则位于所述 第四区块上。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第四区块呈长 条状。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第四区块呈三 角状。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属区域的 材料为铝、铂或锡。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含多条带状 多晶硅，所述带状多晶硅之间存在一间隔距离。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含多条金属 打线电性连接该第三金属区域以接收一电压。
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