[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明有关于一种半导体装置，且特别是有关于一种半导体装置的电路 布局。

背景技术

半导体装置的物理结构决定了该一半导体的效能。举例来说，半导体元 件的通道长度以及通道宽度影响半导体所传递的电流大小。半导体装置通常 具有金属层，该金属层会传递源/漏极电流，因此金属层的材质以及物理结构 会影响半导体装置的导电性。

在放大器当中，开关电路通常以一铜金属层来传递源/漏极电流。由于开 关电路通常需要传导大量电流，使得该一金属层的电流密度变大，随之产生 的电迁移(Electromigration)效应可能会造成该金属层不正常地短路或开路。

因此需要一种新的半导体装置，能够避免半导体的金属层不正常地短路 或开路。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种半导体装置，能够分散电流米 降低电流密度，以防止半导体装置不正常地短路或开路。

为了实现上述目的，本发明提出一半导体装置，包括一第一金属区域、 多个过孔、多个第二金属区域、多个开口、以及一第三金属区域。第一金属 区域传导源/漏极电流。过孔位于第一金属区域上。第二金属区域通过过孔电 性连接第一金属区域以传导源/漏极电流，其中每两第二金属区域之间存在一 间距，各个第二金属区域包含：一第一区块；以及至少一第二区块，自该第 一区块延伸并与部分该第一金属区域重叠，以涵盖所述过孔，其中源/漏极电 流是由该第一金属区域经由所述过孔传导至该第二区块。开口位于第二金属 区域上。第三金属区域则通过开口电性连接第二金属区域，其中第三金属区 域的电阻值小于第二金属区域的电阻值以及第一金属区域的电阻值，该第三 金属区域包含多个第三区块，各个第三区块横跨所述第二金属区域的所述第 二区块，所述第三区块之间则存在一间隔距离。

根据本发明的实施例，半导体装置能够分散电流来降低电流密度，以防 止半导体装置的金属区域不正常地短路或开路；此外，由于电流可通过电阻 值小的第三金属区域传递，因此提高了导电效率。

附图说明

为使本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所 附附图的详细说明如下：

图1是本发明一实施例的部分半导体装置俯视图；

图2是本发明一实施例的半导体装置另外部分俯视图；

图3是本发明另一实施例的部分半导体装置俯视图；

图4是本发明另一实施例的半导体装置另外部分俯视图。

【主要组件符号说明】

101：第一金属区域    101a：第四区块

103：过孔            105：第二金属区域

105a：第二区块       105b：第一区块

201：带状多晶硅      203：第三金属区域

203a：第三区块       205：第二开口

207：第一开口        301：第二金属区域

具体实施方式

以下实施例的半导体装置由数个金属区域来传导源/漏极电流，能够分散 电流并且降低电流密度，因而能够避免半导体的金属区域不正常地短路或开 路。

请参照图1，其示出了本发明一实施例的部分半导体装置俯视图。该半 导体装置包括第一金属区域101、数个过孔(vias)103以及数个第二金属区 域105。第一金属区域101的材料可为铝、铂或锡等金属，该第一金属区域 101包括数个第四区块101a，各第四区块101a可与相邻的第四区块101a距 离一间距，或可连接至相邻的第四区块101a。各第四区块101a可呈条状、 矩型、三角状、多边形或是椭圆状。

第一金属区域101通过接触孔连接至半导体装置的源/漏极来传导源/漏 极电流。过孔103位于第一金属区域101上。材料为铝、铂、锡或其它金属 的第二金属区域105通过过孔103电性连接第一金属区域101以传导源/漏极 电流，其中各个第二金属区域105并未与相邻的第二金属区域105连接，也 就是说每两第二金属区域105之间存在一间距。