[发明专利]热处理系统、热处理方法和程序

说明书

相关申请的参考 

本申请要求于2007年3月1日提出的日本专利申请2007-051494的优先权。并引用该申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。 

技术领域

本发明涉及一种对半导体晶片等被处理体进行热处理的热处理系统和热处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，使用对被处理体例如半导体晶片进行成膜处理等的热处理系统。在热处理系统中，例如根据需要成膜的薄膜的种类、膜厚等，决定处理温度、处理压力、气体流量等处理条件，并准备写入有这些处理条件的处理方案。然后，通过选择与薄膜的种类和膜厚对应的处理方案，根据预定的处理条件进行成膜处理等。

但是，在热处理系统中，即便最初适当地进行处理，但由于多次重复处理操作而导致在炉内壁面上附着附着物，当该附着物的累积膜厚变厚时，即使按相同处理温度进行控制，炉内温度也会下降。这样，当对半导体晶片进行热处理的处理温度下降并超出处理条件时，批次间的均匀性就会下降，或不能在半导体晶片上形成所希望的膜厚的薄膜。

作为解决上述问题的技术，例如，在日本特开2003-109906号公报中提出有一种半导体制造装置，该半导体制造装置根据累积膜厚与膜生成所需温度的关系进行温度控制，能够提高批次间的均匀性。

在日本特开2003-109906号公报中，对于炉内的5个区域的每一个，以累积膜厚为Aμm时提高设定温度B℃的方式，决定累积膜厚与温度修正值的关系，根据此关系进行炉内的各区域的温度控制。但是，即使通过此温度控制也难以将炉内的温度控制在指定的处理温度，热处理系统的操作者根据经验和直觉进行温度调整。因此，需要一种热处理系统和热处理方法，即使是没有关于热处理系统、工艺的知识和经验的操作者，也能够容易地调整处理温度。

专利文献1：日本特开2003-109906号公报

发明内容

本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于，提供一种能够容易地调整处理温度且能够对被处理体进行适当的热处理的热处理系统、热处理方法和程序。

为了实现上述目的，本发明提供一种热处理系统，该热处理系统的特征在于，包括：热处理单元，其具有收纳被处理体的处理室，并对上述处理室内的上述被处理体进行热处理；热处理条件存储单元，其按照上述被处理体的热处理的内容，存储包括上述处理室内的热处理温度的热处理条件；热处理控制单元，其根据存储在上述热处理条件存储单元中的热处理条件，控制对上述处理室内的上述被处理体进行热处理的热处理单元；热处理次数存储单元，其存储上述热处理单元的热处理的次数；温度修正表存储单元，其存储温度修正表，该温度修正表表示上述热处理温度、随着上述热处理而附着在装置内部的附着物的累积膜厚、和修正由于上述附着物的附着而引起的上述处理室内的温度误差的温度修正值之间的关系；和最佳值计算单元，其在上述热处理单元根据上述热处理条件对被处理体进行热处理时，根据上述热处理次数存储单元确定现在的附着物的累积膜厚，然后根据该确定的累积膜厚、存储在上述热处理条件存储单元中的热处理温度、和存储在上述温度修正表存储单元中的温度修正表，计算出上述处理室内的温度的最佳值，其中，上述热处理控制单元，将上述热处理条件存储单元内的上述热处理温度变更为通过上述最佳值计算单元计算出的最佳值，使得在变更后的热处理温度下对上述被处理体进行热处理。

本发明提供一种热处理系统，该热处理系统的特征在于，包括：热处理单元，其具有收纳被处理体的处理室并对上述处理室内的上述被处理体进行热处理；热处理条件存储单元，其按照上述被处理体的热处理的内容，存储包括上述处理室内的热处理温度的热处理条件； 热处理控制单元，其根据存储在上述热处理条件存储单元中的热处理条件，控制对上述处理室内的上述被处理体进行热处理的热处理单元；热处理次数存储单元，其存储上述热处理单元的热处理的次数；模型存储单元，其存储表示随着上述热处理而附着在装置内部的附着物的累积膜厚与上述被处理体的温度变化之间的关系的模型；和最佳值计算单元，其在上述热处理单元根据上述热处理条件对被处理体进行热处理时，根据上述热处理次数存储单元确定现在的附着物的累积膜厚，然后根据该确定的累积膜厚、和存储在上述模型存储单元中的模型，计算出上述处理室内的温度的最佳值，其中，上述热处理控制单元将上述热处理条件存储单元内的上述热处理温度变更为通过上述最佳值计算单元计算出的最佳值，使得在变更后的热处理温度下对上述被处理体进行热处理。