[发明专利]像素结构及其修补方法

权利要求书

1.一种像素结构，适于配置于一基板上，该像素结构包括：

一扫描线；

一栅极，与该扫描线配置于该基板上，且该栅极与该扫描线电性连接；

一共用配线，具有至少一第一开口，且该共用配线配置于该基板上；

一第一介电层，覆盖该扫描线、该栅极与该共用配线；

一沟道层，配置于该栅极上方的该第一介电层上；

一源极与一漏极，配置在该沟道层上；

一数据线，配置于该第一介电层上，且该数据线与该源极电性连接；

一电容耦合电极，配置于该共用配线上方的该第一介电层上，且该电容耦 合电极与该漏极电性连接，其中该共用配线的第一开口至少部分位于该数据线 与该电容耦合电极之间，且该第一开口被该第一介电层覆盖；

一第二介电层，覆盖该源极、该漏极、该数据线与该电容耦合电极，该第 二介电层具有一接触窗开口，以暴露出部分的该电容耦合电极，其中该第一开 口未与该接触窗开口重迭，且该第一开口是位于该接触窗开口与该数据线之 间；以及

一像素电极，配置于该第二介电层上，且该像素电极通过该接触窗开口而 与该电容耦合电极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共用配线还包括一第二 开口，至少部分位于该电容耦合电极与相邻的另一数据线之间。

3.一种修补方法，适于对权利要求1的像素结构进行修补，当该数据线与 该电容耦合电极连接时，该修补方法包括：

通过该第一开口，切割该数据线与该电容耦合电极的连接处。

4.如权利要求3所述的修补方法，其特征在于，切割该数据线与该电容耦 合电极的方法包括激光切割。

5.如权利要求3所述的修补方法，其特征在于，该共用配线还包括一第二 开口，至少部分位于该电容耦合电极与相邻的另一数据线之间，且当相邻的另 一数据线与该电容耦合电极连接时，还包括通过该第二开口，切割相邻的该数 据线与该电容耦合电极的连接处。

6.如权利要求5所述的修补方法，其特征在于，切割该数据线与该电容耦 合电极的方法包括激光切割。