[发明专利]像素结构及其修补方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及其修补方法，且特别是有关于一种能简易 修补的像素结构及其修补方法。

背景技术

现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件或显示装置的进 步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优 越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display， TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。一般的薄膜晶体管液晶显示器主要是由一薄 膜晶体管阵列基板、一对向基板以及一夹于前述二基板之间的液晶层所构成。 其中，薄膜晶体管阵列基板主要包括基板、扫描线(Scan line)、数据线(Date line) 以及阵列排列于基板上的像素结构所构成。扫描线与数据线可将讯号传递至对 应的像素结构，以达到显示的目的。一般而言，像素结构中都会具有一储存电 容器(Storage capacitor，Cst)，用以辅助像素结构达到显示的目的。

在美国专利号US 7,057,207中所提出的像素结构，其主要是将储存电容电 极(Storage capacitance electrode)划分为三个子电极，且此三个子电极分别与 漏极电性连接。当数据线因金属残留或异物而与其中的一子电极短路时，操作 人员便通过激光切割的方式将此子电极与漏极分离。然而，子电极与漏极分离 后，像素结构的储存电容值、开口率以及液晶的配向都会明显受到不良的影响， 进而使得显示品质下降。

发明内容

本发明提供一种像素结构，其具有易于修补的优点。

本发明提供一种修补方法，其可修补本发明的像素结构，以提高产品良率。

本发明提出一种像素结构，其适于配置于一基板上。本发明的像素结构包 括一扫描线、一栅极、一共用配线、一第一介电层、一沟道层、一源极、一漏 极、一数据线、一电容耦合电极、一第二介电层与一像素电极。其中，栅极与 扫描线配置于基板上，且栅极与扫描线电性连接。此外，共用配线具有至少一 第一开口，且共用配线配置于基板上。第一介电层覆盖扫描线、栅极与共用配 线。上述沟道层配置于栅极上方的第一介电层上。另外，源极与漏极配置在沟 道层上。上述的数据线配置于第一介电层上，且数据线会与源极电性连接。此 外，电容耦合电极配置于共用配线上方的第一介电层上，且电容耦合电极会与 漏极电性连接。其中，共用配线的第一开口至少部分位于数据线与电容耦合电 极之间。上述的第二介电层会覆盖源极、漏极与数据线。本发明的像素电极配 置于第二介电层上，且像素电极与电容耦合电极电性连接。

在本发明的一实施例中，上述共用配线还包括一第二开口，且至少部分位 于电容耦合电极与相邻的一数据线之间。

在本发明的一实施例中，上述第二介电层具有一接触窗开口，以暴露出部 分的电容耦合电极，且像素电极通过第二接触窗开口而与电容耦合电极电性连 接。

本发明提出一种修补方法，其适于对上述的像素结构进行修补。当数据线 与电容耦合电极连接时，本发明的修补方法包括：通过第一开口，切割数据线 与电容耦合电极的连接处。

在本发明的一实施例中，上述切割数据线与电容耦合电极的方法包括激光 切割。

在本发明的一实施例中，上述的修补方法还包括通过第二开口，切割相邻 的数据线与电容耦合电极的连接处。

在本发明的一实施例中，上述切割数据线与电容耦合电极的方法包括激光 切割。

由于本发明共用配线上的第一开口位于数据线与电容耦合电极之间。因 此，当数据线与电容耦合电极有异常的短路现象时，操作人员可通过第一开口 并利用激光切割的方式来将数据线与电容耦合电极分离。此外，当相邻的数据 线与电容耦合电极有异常的短路现象时，操作人员可通过第二开口并利用激光 切割的方式来将相邻的数据线与电容耦合电极分离。本发明的像素结构易于修 补，且像素结构在修补后其储存电容与开口率不会受到不良影响。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发 明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1是本发明的一实施例的像素结构俯视图。

图2是图1沿A-A’与B-B’剖面线的剖面示意图。

图3是本发明具有缺陷的像素结构的示意图。

图4是本发明像素结构修补后的示意图。