[发明专利]接点结构与其形成方法及其接合结构

权利要求书

1.一种接点结构，设置在基板上，包括：

至少一接垫，位于该基板上；

至少一高分子凸块，配置于该基板上，该高分子凸块具有弧状表面以及与该弧状表面连接的陡峭面，该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度，其中该高分子凸块的该弧状表面是往该基板的方向凹入；以及

至少一导电层，覆盖该高分子凸块，且与该接垫电性连接。

2.如权利要求1所述的接点结构，其中该弧状表面上具有多个凹凸结构。

3.如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层全面覆盖或部分覆盖该高分子凸块。

4.如权利要求1所述的接点结构，还包括保护层，其配置于该基板上并暴露出该接垫。

5.如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块配置于该接垫上或该基板上或同时跨越在该接垫上与该基板上。

6.如权利要求1所述的接点结构，其中该高分子凸块的该弧状表面是往远离该基板的方向凸出。

7.如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个，覆盖在同一高分子凸块上，并分别与对应的接垫电性连接。

8.如权利要求1所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个，覆盖在同一高分子凸块上，并与同一接垫电性连接。

9.如权利要求1所述的接点结构，其中位于该高分子凸块上的该导电层会与一个或多于一个的接垫电性连接。

10.如权利要求1所述的接点结构，其中位于一个或多于一个的高分子凸块上的该导电层均与同一接垫电性连接。

11.如权利要求1所述的接点结构，还包括高分子保护层，位在该基板上且至少暴露出该高分子凸块以及该接垫。

12.一种接点结构，设置在基板上，包括：

至少一接垫，位于该基板上；

至少一高分子凸块，配置于该基板上，其中该高分子凸块具有弧状表面、与该弧状表面连接的顶部平面以及与该顶部平面连接的陡峭面，该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度；

高分子保护层，位于该基板上且至少暴露出该高分子凸块以及该接垫；

位于该高分子保护层上的另一高分子保护层，其厚度低于该高分子凸块的厚度，用以加强该高分子凸块的结构强度；以及

至少一导电层，覆盖该高分子凸块，且与该接垫电性连接。

13.如权利要求12所述的接点结构，其中该弧状表面上具有多个凹凸结构。

14.如权利要求12所述的接点结构，其中该导电层全面覆盖或部分覆盖该高分子凸块。

15.如权利要求12所述的接点结构，其该高分子凸块配置于该接垫上或该基板上或同时跨越在该接垫上与该基板上。

16.如权利要求12所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个，覆盖在同一高分子凸块上，并分别与对应的接垫电性连接。

17.如权利要求12所述的接点结构，其中该导电层有一个或多于一个，覆盖在同一高分子凸块上，并与同一接垫电性连接。

18.如权利要求12所述的接点结构，其中位于该高分子凸块上的该导电层会与一个或多于一个的接垫电性连接。

19.如权利要求12所述的接点结构，其中位于一个或多于一个的高分子凸块上的该导电层均与同一接垫电性连接。

20.如权利要求12所述的接点结构，其中该顶部平面具有多个凹凸结构或为平滑结构。