[发明专利]接点结构与其形成方法及其接合结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种接点结构与其接合结构及其形成方法，且特别涉及一种于接合时容易穿透接合材料且不会产生应力集中的接点结构与其形成方法及其接合结构。 

背景技术

随着科技进步，各种电子装置朝向小型化及多功能化的方向发展。因此为了使电子装置中的芯片能传输或接收更多的信号，电性连接于芯片与线路板之间的接点也朝向高密度化的方向发展。 

于已知技术中，电性连接芯片与玻璃基板的方法多为先在芯片的接点与玻璃基板的导电结构之间配置各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)，且芯片的接点与玻璃基板的导电结构皆面向各向异性导电膜。然后，压合芯片的接点、各向异性导电膜与玻璃基板的导电结构，以通过各向异性导电膜中的导电颗粒电性连接芯片的每一接点与玻璃基板上与前述接点对应的导电结构。 

然而，当芯片的接点密度以及玻璃基板的导电结构的密度增加时，芯片的接点之间的间距以及玻璃基板的导电结构之间的间距皆缩小。因此，芯片的接点通过各向异性导电膜中的导电颗粒将有可能会与邻近的接点或导电结构电性连接，进而造成短路或漏电。 

因此，已有人提出一种表面覆盖有金属层的柱状高分子凸块以做为芯片的接点结构。而使芯片的接点与玻璃基板的导电结构电性连接的方法是先在芯片与玻璃基板的导电结构之间配置非导电性黏胶层。然后，将芯片压合于玻璃基板上，以使柱状高分子凸块贯穿非导电性黏胶而与玻璃基板的导电结构接触并电性连接。 

然而，柱状高分子凸块在压合时容易有应力集中的问题，因此易导致金属层破裂而影响其电性可靠度。 

发明内容

本发明提出一种接点结构，其所具有的高分子凸块可避免应力集中的问题且易于贯穿基板之间的接合材料。 

本发明另提出一种接合结构，其电性可靠度较佳。 

本发明还提出一种形成接点结构的方法，其所形成的接点结构中的高分子凸块可具有弧状表面以及陡峭面。 

为具体描述本发明的内容，在此提出一种设置在基板上的接点结构，接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。接垫位于基板上。高分子凸块配置于基板上，而且高分子凸块具有弧状表面以及与弧状表面连接的陡峭面，陡峭面与基板的夹角为30度至150度。该高分子凸块的该弧状表面是往该基板的方向凹入。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。 

在本发明的一实施例中，高分子凸块的弧状表面是往远离基板的方向凸出。 

为具体描述本发明的内容，在此提出一种接点结构，其设置在基板上，接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。接垫位于基板上。高分子凸块配置于基板上，其中高分子凸块具有弧状表面、与弧状表面连接的顶部平面以及与顶部平面连接的陡峭面，陡峭面与基板的夹角为30度至150度。高分子保护层，位于该基板上且至少暴露出该高分子凸块以及该接垫。位于该高分子保护层上的另一高分子保护层，其厚度低于该高分子凸块的厚度，用以加强该高分子凸块的结构强度。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。 

以下列举可同时适用于上述两种接点结构的实施例。 

在本发明的一实施例中，弧状表面上具有多个凹凸结构。 

在本发明的一实施例中，导电层全面覆盖或部分覆盖高分子凸块。 

在本发明的一实施例中，高分子凸块配置于接垫上或基板上或同时跨越在接垫上与基板上。 

在本发明的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一高分子凸块上并分别与对应的接垫电性连接。 

在本发明的一实施例中，导电层有一个或多于一个，导电层覆盖在同一高分子凸块上并与同一接垫电性连接。 

在本发明的一实施例中，位于高分子凸块上的导电层会与一个或多于一 个的接垫电性连接。 

在本发明的一实施例中，位于一个或多于一个的高分子凸块上的导电层均与同一接垫电性连接。 

为具体描述本发明的内容，在此提出一种接合结构包括第一基板、第二基板以及接合材料。第一基板包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。高分子凸块与接垫对应设置，而且高分子凸块具有弧状表面以及与弧状表面连接的陡峭面，陡峭面与基板的夹角为30度至150度。导电层覆盖高分子凸块，且与接垫电性连接。第二基板上包括设置有至少一导电结构，而且第一基板上的导电层与导电结构电性连接。接合材料位于第一基板与第二基板之间，且部分的导电层与高分子凸块贯穿接合材料而与导电结构接触。