[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200810095288.X | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101577243A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;刘献文;蔡子敬 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8247;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包含有：
提供基底，包含导电层；
于该导电层上形成介电层，其中该介电层至少包含有硅氧层、非晶硅层、 绝缘层以及防漏电层，该非晶硅层位于该介电层中的最上层之下以及该防漏 电层之下；
于该介电层中形成接触洞，以暴露出部分的该导电层；
于该接触洞的侧壁上形成防漏电间隙壁；以及
于该接触洞内形成接触插塞。
2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该防漏电 间隙壁包含氮化硅、碳化硅以及氮氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该防漏电 层包含氮化硅、碳化硅以及氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该硅氧层 为非掺杂硅玻璃层。
5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该绝缘层 为硼磷硅酸盐玻璃层。
6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该导电层 包含栅极。
7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该导电层 包含掺杂区。
8.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，该接触插 塞包含钨、氮化钛及钛。
9.一种半导体结构，其特征在于，至少包含：
基底，包含导电层；
介电层，设于该导电层上，其中该介电层中至少包含硅氧层、非晶硅层、 绝缘层以及防漏电层，该非晶硅层位于该介电层中的最上层之下以及该防漏 电层之下；
接触插塞，设于该介电层中并贯穿至该导电层；以及
防漏电间隙壁，设于该接触插塞的侧壁上。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该防漏电层包含氮 化硅、碳化硅以及氮氧化硅。
11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该防漏电间隙壁包 含氮化硅、碳化硅以及氮氧化硅。
12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该硅氧层为非掺杂 硅玻璃层。
13.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该绝缘层为硼磷硅 酸盐玻璃层。
14.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该导电层包含栅极。
15.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该导电层包含掺杂 区。
16.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该接触插塞包含钨、 氮化钛以及钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
