[发明专利]管芯软膜接合的制造方法与结构无效
申请号: | 200810095366.6 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101350314A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 伍家辉;郑百盛;曾伯强 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/495;H01L23/367;H05K3/00;H05K1/11;H05K7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 接合 制造 方法 结构 | ||
1.一种管芯软膜接合的制造方法,包含有:
提供可挠性电路板,其具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面;以及
于该可挠性电路板的该第一表面上形成多个引脚,其中每一引脚的厚度介于8μm~15μm且每一引脚的截面形状实质上为矩形。
2.如权利要求1所述的制造方法,其中该多个引脚是以半加成工艺或各向异性工艺所形成。
3.如权利要求1所述的制造方法,其中形成该多个引脚的步骤另包含有:
根据对应于该多个引脚的多个凸块的间距宽度来决定该多个引脚的宽度。
4.如权利要求3所述的制造方法,还包含有:
以散热材料于该可挠性电路板的该第一表面上的第一未使用区域形成第一散热层,其中没有引脚形成于该未使用区域中。
5.如权利要求3所述的制造方法,还包含有:
以散热材料于该可挠性电路板的该第二表面上的第二未使用区域形成第二散热层。
6.如权利要求1所述的制造方法,其中形成该多个引脚的步骤另包含有:
决定该多个引脚的每一引脚的宽度均大于凸块宽度减4μm。
7.如权利要求6所述的制造方法,还包含有:
以散热材料于该可挠性电路板的该第一表面上的第一未使用区域形成第一散热层。
8.如权利要求6所述的制造方法,还包含有:
以散热材料于该可挠性电路板的该第二表面上的第二未使用区域形成第二散热层。
9.一种管芯软膜接合结构,包含有:
可挠性电路板,具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面;以及
多个引脚,形成于该可挠性电路板的该第一表面上,其中每一引脚的厚度介于8μm~15μm且每一该多个引脚的宽度的决定是基于与该多个引脚相对应的多个凸块的间距宽度。
10.如权利要求9所述的管芯软膜接合结构,其中每一引脚的截面形状实质上为矩形。
11.如权利要求10所述的管芯软膜接合结构,其中该可挠性电路板具有第一未使用区域,该第一未使用区域位于该可挠性电路板的该第一表面上且被散热材料所覆盖。
12.如权利要求10所述的管芯软膜接合结构,其中该可挠性电路板具有第二未使用区域,该第二未使用区域位于该可挠性电路板的该第二表面上且被散热材料所覆盖。
13.一种管芯软膜接合结构,包含有:
可挠性电路板,具有第一表面与相对于该第一表面的第二表面;以及
多个引脚,形成于该可挠性电路板的该第一表面上,其中每一引脚的厚度介于8μm~15μm且该多个引脚的每一引脚的宽度均大于凸块宽度减4μm。
14.如权利要求13所述的管芯软膜接合结构,其中每一引脚的截面形状实质上为矩形。
15.如权利要求14所述的管芯软膜接合结构,其中该可挠性电路板具有第一未使用区域,该第一未使用区域位于该可挠性电路板的该第一表面上且被散热材料所覆盖。
16.如权利要求14所述的管芯软膜接合结构,其中该可挠性电路板具有第二未使用区域,该第二未使用区域位于该可挠性电路板的该第二表面上且被散热材料所覆盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造