[发明专利]管芯软膜接合的制造方法与结构无效
申请号: | 200810095366.6 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101350314A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 伍家辉;郑百盛;曾伯强 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/495;H01L23/367;H05K3/00;H05K1/11;H05K7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 接合 制造 方法 结构 | ||
技术领域
本发明涉及管芯软膜接合,尤指一种管芯软膜接合的制造方法及其相关结构。
背景技术
近年来,液晶显示器(liquid crystal display,LCD)被广泛运应于各种电子装置中,例如:手机、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)以及笔记型计算机。随着显示器的尺寸增加,液晶显示器由于其轻薄短小的特性,已经渐渐取代传统的阴极射线管(CRT)荧幕,成为现今显示荧幕市场上的主流。
随着液晶显示尺寸增加,其驱动集成电路(integration circuit,IC)的沟道数目与操作频率亦随之大幅地增加,然而,沟道数目及操作频率的增加极可能造成显示器的驱动IC过热而降低显示器的性能及缩短显示器的寿命。因此,目前亟需提供一种新的方法及装置来改善液晶显示器的散热效率以避免驱动IC产生过热的问题。
发明内容
因此本发明的目的在于提供一种管芯软膜接合的制造方法以及其结构来改善散热效率,以解决上述问题。
依据本发明的实施例,披露一种管芯软膜接合的制造方法。该方法包含有提供可挠性电路板;以及于该可挠性电路板的该第一表面上形成多个引脚,其中每一引脚的厚度介于8μm~15μm且其截面形状实质上为矩形。
依据本发明的实施例,亦披露一种管芯软膜接合结构。该管芯软膜接合结构包含有可挠性电路板;以及多个引脚,形成于该可挠性电路板上,其中每一引脚的厚度介于8μm~15μm且每一该多个引脚的宽度的决定是基于与该多个引脚相对应的多个凸块的间距宽度。
依据本发明的实施例,另披露一种管芯软膜接合结构。该管芯软膜接合结构包含有可挠性电路板;以及多个引脚,形成于该可挠性电路板上,其中每一引脚的厚度介于8μm~15μm且该多个引脚的每一引脚的宽度均大于凸块宽度减4μm。
附图说明
图1为本发明管芯软膜接合结构的一实施例的平面示意图。
图2为沿图1中A-A’方向的管芯软膜接合结构的剖面立体示意图。
图3为沿图1中B-B’方向的管芯软膜接合结构的剖面立体示意图。
图4为典型内引脚截面形状与图1所示的管芯软膜接合结构的内引脚截面形状的示意图。
图5为典型内引脚与凸块间的宽度关系与图1所示的管芯软膜接合结构的内引脚与凸块间的宽度关系的示意图。
图6为可挠性电路板的第一表面的示意图,该第一表面上具有已使用区域与未使用区域。
图7为可挠性电路板的第二表面的示意图,该第二表面上具有未使用区域。
附图标记说明
10 可挠性电路板 20信号传输线
22 内引脚 24外引脚
30 芯片 32凸块
100管芯软膜接合结构
具体实施方式
在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及后续的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的权利要求当中所提及的“包含”为开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。
请同时参阅图1与图2,图1为本发明管芯软膜接合(chip on film,COF)结构100的一实施例的平面示意图,图2为沿图1中A-A’方向的管芯软膜接合结构100的剖面立体示意图。如图1与图2所示,管芯软膜接合结构100包含有可挠性电路板10(例如:软性印刷电路(flexible printed circuit,FPC)板),多条信号传输线20以及芯片30。信号传输线20的一端延伸出多个内引脚22,其分别电连接于芯片30上的多个凸块32;信号传输线20的另一端延伸出多个外引脚24,其分别电连接于多个电极(未显示于图1与图2中)以输出信号(例如:驱动信号或电压供应信号)至信号传输线,事实上,内引脚22与外引脚24均是由信号传输线20所构成。请参阅图3,图3为沿图1中B-B’方向的管芯软膜接合结构100的剖面立体示意图,其中,每一内引脚22的厚度均介于8μm~15μm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造