[发明专利]在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法

权利要求书

1、一种在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，包括：

(a)提供一板材，该板材包括一基层与一第一导电层，该第一导电层配置于该基层的一表面上；

(b)形成至少一贯孔于该板材上，以作为一量测基板尺寸的量测靶点；

(c)形成一镀通孔于该贯孔内，以作为另一次量测基板尺寸的量测靶点；

(d)全面形成一介电层于该板材上；以及

(e)移除该镀通孔上方的该介电层，使其暴露出该镀通孔，以作为下一次量测基板尺寸的量测靶点。

2、如权利要求1所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中形成该镀通孔的方法包括：

形成一第二导电层于该第一导电层表面以及该贯孔内壁；以及

图案化该基层的该表面上的该第一导电层与该第二导电层，以在该贯孔周围形成一保护垫，该保护垫连接该贯孔内壁的该第二导电层。

3、如权利要求2所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中在进行步骤(d)时，该介电层是填入该贯孔内。

4、如权利要求1所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中形成该介电层于该板材上的方法包括压合一增层膜于该板材上。

5、如权利要求4所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中该增层膜为一ABF膜。

6、如权利要求1所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中在步骤(e)之后，还包括：

(f)全面形成一焊罩层于该板材上；以及

(g)移除该镀通孔上方的该焊罩层，使其暴露出该镀通孔，以作为再一次量测基板尺寸的量测靶点。

7、如权利要求6所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中还包括在步骤(f)之前重复步骤(d)与步骤(e)至少一次。

8、一种在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，包括：

提供一板材，该板材包括一基层与一第一导电层，该第一导电层配置于该基层的一表面上；

形成至少一贯孔于该板材上，以作为第一次量测基板尺寸的量测靶点；

形成一第二导电层在该第一导电层表面以及该贯孔内壁；

图案化该基层的该表面上的该第一导电层与该第二导电层，以在该开孔周围形成一保护垫，此时该贯孔作为第二次量测基板尺寸的量测靶点；

形成一第一介电层于该基层的该表面上，且该第一介电层填入该贯孔内；

移除该保护垫上方与该开孔上方的该第一介电层，以形成一第一开孔，该第一开孔暴露出该保护垫与该贯孔，以作为第三次量测基板尺寸的量测靶点；

形成一第二介电层于该第一介电层上，且该第二介电层填入该第一开孔内；

移除该保护垫与该开孔上方的该第二介电层，以形成一第二开孔，该第二开孔暴露出该保护垫与该贯孔，以作为第四次量测基板尺寸的量测靶点；

形成一焊罩层于该第二介电层上，且该焊罩层填入该第二开孔内；以及

移除该保护垫与该开孔上方的该焊罩层，以形成一第三开孔，该第三开孔暴露出该保护垫与该贯孔，以作为第五次量测基板尺寸的量测靶点。

9、如权利要求8所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中形成该第一介电层或该第二介电层于该板材上的方法包括压合一增层膜于该板材上。

10、如权利要求9所述的在基板工艺中形成用以量测基板尺寸的量测靶点的方法，其特征在于，其中该增层膜为一ABF膜。