[发明专利]降低存储器漏电流的方法无效
申请号: | 200810095832.0 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101572121A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 张全仁 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4094 | 分类号: | G11C11/4094;G11C7/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 存储器 漏电 方法 | ||
1.一种降低存储器漏电流的方法,适用于一存储器,该存储器包括:至少一存储单元、一等位电路、一限流单元、一字线与一对互补位线,该方法包括:
令该存储单元进入一预充电模式;
令该等位电路与该限流单元正常操作,以对该对互补位线进行一预充电操作;
施加一周期性控制信号于该限流单元以控制该限流单元的导通或不导通,其中该限流单元的不导通降低该存储器的一待机漏电流,该待机漏电流由该字线与该对互补位线间的短路所造成。
2.如权利要求1所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,还包括:
提供一等位信号以控制该等位电路的操作。
3.如权利要求1所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,当该等位电路正常操作时,该对互补位线之间为短路。
4.如权利要求1所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,还包括:施加一参考电压至该限流单元。
5.如权利要求4所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,当该等位电路与该限流单元正常操作时,该对互补位线被预充电至该参考电压。
6.如权利要求5所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,该参考电压为该对互补位线的逻辑高电位的一半。
7.如权利要求1所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,该周期性控制信号为一方波或一合成弦波。
8.如权利要求1所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,该周期性控制信号的逻辑低电位相同于该字线的一负预充电电压。
9.一种降低存储器漏电流的方法,适用于一存储器,该存储器包括:至少一存储单元、一等位电路、一限流单元、一字线与一对互补位线,该方法包括:
令该存储单元进入一预充电模式;
令该等位电路与该限流单元正常操作,以将该对互补位线预充电至一参考电压;
施加一周期性控制信号于该限流单元以减少该限流单元的导通时间并降低该存储器的一待机漏电流,该待机漏电流由一参考电压透过该字线与该对互补位线间的短路而流出,其中该周期性控制信号的逻辑低电位有关于该字线的一负预充电电压。
10.如权利要求9所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,还包括:
提供一等位信号以控制该等位电路的操作。
11.如权利要求9所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,当该等位电路正常操作时,该对互补位线之间彼此分享电荷。
12.如权利要求9所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,该参考电压为该对互补位线的逻辑高电位的一半。
13.如权利要求9所述的降低存储器漏电流的方法,其特征在于,该周期性控制信号为一方波或一合成弦波。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810095832.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高电抗磁集成车载牵引变压器
- 下一篇:一种便携式轻便型塑料膜材焊接机