[发明专利]晶圆固着装置及其方法有效
申请号: | 200810096170.9 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101577240A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 张介舟;廖洪佐;林学宏;张志安 | 申请(专利权)人: | 旺硅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固着 装置 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶圆固着装置,特别涉及一种利用真空吸附的晶圆固着装置及其方法。
背景技术
发光二极管(Light emitting diode,LED)的应用日趋广泛,目前已有采用多个发光二极管排成数组方式来呈现光源或显示器的应用;而在相同发光二极管的晶圆上,晶粒之间的色彩波长及亮度不相同。为了满足产品对于色彩波长及亮度敏感性要求的一致性,需要在制程步骤中,对发光二极管晶粒进行拣晶制程。而在拣晶制程步骤之前,需要将发光二极管晶圆黏附于蓝膜上,以于分割晶圆成晶粒时固定晶粒。之后,需通过蓝膜扩张及使用扩张环卡固于蓝膜边缘,以加大晶粒与晶粒之间的间隙(Pitch),以利于拣晶制程步骤的便利性。而拣晶制程步骤需要使用晶圆固着装置固定蓝膜在拣晶装置上,以便进行连续的制程步骤。
传统的晶圆固着装置采用机械固定方式,例如卡紧装置等机械式晶圆固定装置,以对蓝膜外围的扩张环进行固定,即以一具有切口的环具,环绕于扩张环外围,通过一组卡紧件缩减闭合切口,以将环具扣合并固定扩张环。由于机械式晶圆固定装置直接对扩张环进行卡紧,也即直接对扩张环施予机械应力以固定,故极容易造成蓝膜上的晶圆中的晶粒产生排列位置扭曲,进而产生晶粒拣选时的错位问题及降低晶圆平整度。
在半导体制程中,发展出以真空吸附的方式固定晶圆的技术。例如,美国专利US 6,803,780号专利案提出一种支撑半导体晶圆载片台(chuck)结构,利用上层及下层的实心结构互相迭合,而在上层及下层以真空通路连接真空源,通过真空吸附固定半导体晶圆。然而,US 6,803,780号的载片台结构为实心架 构,载片台只作为承载及固定半导体晶圆,无法在晶圆下方设置测试组件,若使用在发光二极管的制程中,并无法在载片台中间部位摆放顶针器,以进行晶粒的拣晶,故局限其空间使用率,促使在晶圆制程流程中无法在晶圆下方设置测试组件而降低制程设计的灵活性。
因此,现今仍需一能解决上述晶粒排列扭曲、晶圆平整度不佳及空间使用率不佳的问题的装置或系统,以提升生产合格率。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶粒排列不扭曲、晶圆平整度佳及空间使用率高的晶圆固着装置及其方法。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一方面,本发明提供的晶圆固着装置,包含真空源;吸附装置,其包含第一环状部,在环状部中包含一中空部分,一第一通孔形成于该环状部中,第一通孔连接至真空源;以及晶圆固定环,其置于吸附装置上,通过卡合装置固定晶圆固定环于吸附装置上,晶圆固定环包含内环、外环以及环状基底部,内环及外环形成于环状基底部上,内环及外环之间形成一吸附空间,环状基底部包含第二通孔,用以连接第一通孔及吸附空间。
进一步,所述吸附空间包含一空隙。
所述吸附空间包含多个连通孔。
所述晶圆固定环固定一蓝膜于该内环及该外环之上。
所述晶圆固定环的材料包含塑料或金属。
所述内环、外环以及环状基底部一体成型。
所述卡合装置包含:
二卡合件,形成于该吸附装置上;以及
二卡合孔,形成贯穿于该环状基底部,该卡合孔对应该卡合件,以供卡合件插入卡合孔后固定。
其中,所述卡合孔包含一插入部、一移动部以及一固定部。
所述卡合装置包含:二螺丝;以及
四通孔,该四通孔中的二通孔形成贯穿于该环状基底部,四通孔中的另二通孔形成贯穿于该吸附装置,该环状基底部的二通孔对准并重迭于该吸附装置的二通孔,二螺丝穿设通孔并锁固,用以固定晶圆固定环及吸附装置。
所述晶圆固定环包含中空部分形成于内环之中。
所述吸附装置包含一环状部,使该第一通孔形成于该环状部中。
其中,所述吸附装置还包含一中空部分形成于该环状部之中。
所述吸附装置包含一环状部,所述卡合件形成于环状部的上表面上。
所述真空源包含一真空泵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造