[发明专利]半导体激光器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的制造方法，包括：

在GaN基板上形成设置了多个脊部的半导体层的工序、

从所述半导体层的侧面在所述GaN基板上隔着规定的间隔设置多个切痕的工序、和

沿着所述切痕劈开所述GaN基板的工序，

其特征在于，

在所述劈开工序之前，在所述半导体层上在各个所述多个脊部和所述多个切痕之间设置与所述多个切痕在同一条直线上的至少一个槽。

2.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述半导体层的工序包括：

在所述GaN基板上按顺序至少形成n型覆层、活性层、p型覆层和p型接触层的工序、和

采用光刻法对所述p型接触层和所述p型覆层进行蚀刻以形成所述脊部和所述槽的工序。

3.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述半导体层的工序包括：

在所述GaN基板上按顺序至少形成n型覆层、活性层、p型覆层和p型接触层的工序、

采用光刻法对所述p型接触层和所述p型覆层进行蚀刻以形成所述脊部和所述槽的工序、和

在用掩模覆盖所述脊部的状态下进一步对所述槽进行蚀刻的工序。

4.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述半导体层的工序包括：

在所述GaN基板上按顺序至少形成n型覆层、活性层、p型覆层和p型接触层的工序、

采用光刻法对所述p型接触层和所述p型覆层进行蚀刻以形成所述脊部的工序、

在所述p型接触层和所述p型覆层的规定部分上形成绝缘膜的工序、和

采用光刻法对所述绝缘膜进行蚀刻以形成所述槽的工序。

5.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述半导体层的工序包括：

在所述GaN基板上按顺序至少形成n型覆层、活性层、p型覆层和p型接触层的工序、

采用光刻法对所述p型接触层和所述p型覆层进行蚀刻以形成所述脊部的工序、和

在所述p型接触层和所述p型覆层的规定部分上形成绝缘膜的工序，

通过使所述规定部分中不含有形成所述槽的部分，而在形成所述绝缘膜的同时形成所述槽。

6.权利要求4或5中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜是含有从Si、Ti、V、Zr、Nb、Hf和Ta的组中选择的至少一种的氧化物、SiN、BN、AlN或SiC。

7.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，相对于所述切痕在劈开方向的下流侧设置所述槽。

8.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述槽形成为劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与与劈开方向成60度的方向平行。

9.权利要求8中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述形状在平面上看是三角形。

10.权利要求8中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述形状在平面上看近似成三角形，同时从所述顶点延伸的轮廓线成向外侧凸出的形状。

11.权利要求8中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述形状在平面上看近似成三角形，同时从所述顶点延伸的轮廓线成向内侧凸出的形状。

12.权利要求8中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述形状在平面上看近似成三角形，同时从所述顶点延伸的轮廓线是由多条直线构成且整体向内侧凸出的形状。

13.权利要求1中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述槽至少相对于所述脊部设置在劈开方向的下流侧。

14.权利要求13中记载的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述槽在平面上看是四角形、三角形或者圆形，轮廓线不与与劈开方向成60度的方向平行。